| 发明名称 | 一种用于相变存储器的Zr掺杂Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub>薄膜材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于相变存储器的Zr掺杂Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub>薄膜材料及其制备方法，特点是其化学结构式为Zr<sub>x</sub>(Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub>)<sub>100‑x</sub>，其中0<x<20，其制备方法具体步骤如下：采用高纯度圆块状Zr单质与Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub>作为靶材，采用磁控溅射装置，采用双靶共溅射方法，以高纯氩气作为工作气体，采用石英片或硅片为衬底材料进行表面沉积，将Zr单质靶的直流溅射功率调整为3~9W，Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub>靶的射频溅射功率调整为60W，于室温下共溅射15min后，得到Zr掺杂Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub>薄膜材料，优点是具有较高的结晶温度和数据保持力，较快的结晶速度，较大的非晶态/晶态电阻比以及较好的热稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN105742489A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201610119008.9 | 申请日期 | 2016.03.03 |
| 申请人 | 宁波大学 | 发明人 | 李增光;吕业刚;马亚东;沈祥;王国祥;戴世勋 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人 | 何仲 |
| 主权项 | 一种用于相变存储器的Zr掺杂Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub>薄膜材料，其特征在于：其化学结构式为Zr<sub>x</sub>(Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub>)<sub>100‑x</sub>，其中0<x<20。 | ||
| 地址 | 315211 浙江省宁波市江北区风华路818号 | ||