| 摘要 |
本開示の実施形態は、半導体基板を処理する装置に関する。装置は、基板を支持する基板支持体、下側ドーム、及びこれと対向する上側ドームを有する処理チャンバを備え、複数のガス注入口が処理チャンバの側壁内に配置される。装置は、さらに、複数のガス注入口を介して処理チャンバに結合されたガス供給システムを備え、ガス供給システムは、第１の流体ラインを介して複数のガス注入口に１種以上の化学種を提供するガス導管、第２の流体ラインを介して複数のガス注入口に１種以上のドーパントを提供するドーパント源、及び第２の流体ラインと処理チャンバとの間に配置された高速切換弁であって、１種以上のドーパントの流れを処理チャンバと排気部との間で切り換える、高速切換弁を含む。【選択図】図２ |
