发明名称 超声波传感器及其制造方法
摘要 超声波传感器(101)具备:具有底部(31b)与侧壁部(31a)的有底筒状的外壳(31);设于外壳(31)的内底面的压电元件(32);在外壳(31)内经由导通构件与压电元件(32)电连接并向外壳(31)的外部突出的端子(43);保持端子(43)的端子保持构件(41);将端子保持构件(41)保持在外壳(31)内的缓冲构件(33);沿着外壳(31)的侧壁部(31a)的内周面设置的阻尼构件(39);填充在外壳(31)内的、阻尼构件(39)及缓冲构件(33)的上部的填充构件(36),在阻尼构件(39)与缓冲构件(33)之间设有间隙(40)。根据该结构,防止向端子的振动泄漏,从而改善由振动泄漏引起的混响特性。
申请公布号 CN103843366B 申请公布日期 2016.11.02
申请号 CN201280048808.6 申请日期 2012.10.02
申请人 株式会社村田制作所 发明人 矶元真弓
分类号 H04R17/00(2006.01)I;H04R31/00(2006.01)I 主分类号 H04R17/00(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 张宝荣
主权项 一种超声波传感器,其特征在于,具备:有底筒状的外壳,其具有底部与侧壁部;压电元件,其设于所述外壳的内底面;端子,其在所述外壳内经由导通构件与所述压电元件电连接,并向所述外壳的外部突出;端子保持构件,其对所述端子进行保持;缓冲构件,其在所述外壳内对所述端子保持构件进行保持;阻尼构件,其沿着所述外壳的侧壁部的内周面设置;填充构件,其填充在所述外壳内的、所述阻尼构件及所述缓冲构件的上部,在所述阻尼构件与所述缓冲构件之间设有间隙,所述阻尼构件的弹性模量比所述缓冲构件的弹性模量高。
地址 日本京都府
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