Silicon nitride phosphor method of fabricating the same and light device having the same

摘要

본 발명은 실리콘 질화물 형광체, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 광소자 에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 질화물 형광체는, 여기 광원에 의해 조사되어 광을 방출하는 BaEuSiN이며, 0.5 ≤ m ≤ 2.5이고, 0 < l ≤ 0.3의 화학식을 포함하는 실리콘 질화물 형광체이다. 본 발명의 또다른 실시예에 따른 실리콘 질화물 형광체는 BaCaEuSiN이며, 0.5 ≤ m ≤ 2.5, 0 < n ≤ 0.2, 0 < l ≤ 0.3의 화학식을 포함하는 실리콘 질화물 형광체이다.