| 主权项 |
1.包含一瓣形金属多数叠置之蚀刻箔片之一固态电解电容器有一氧化物薄膜表层,该等箔片以电气方式连接至一正电极端,一半导体层形成于该氧化物薄膜上,一导电层形成该半导体层上,且各箔片共有之一负电极端,其形成于导电层上。2.依据请求专利部份第1.项所述之一固态电解电容器,其中该半导体层大抵为由二氧化铅组成之一薄层。3.依据请求专利部份第2.项所述之一固态电解电容器,其中大抵由二氧化铅组成的该半导体层,系从含有一铅离子之一反应母液体以电化方式沈淀出一薄层。4.依据请求专利部份第2.项所述之一固态电解电容器,其中大抵由二氧化铅组成的该半导体层,系从包括一含铅化合物与一氧化剂之一反应母液体以电化方式沈淀出之一薄层。5.依据请求专利部份第4.项所述之一固态电解电容器,其中该反应母液体含铅化合物之浓度,对于所给与之一饱和溶解度来说系为0.05mole/1,且每莫耳之含铅化合物该氧化剂之数値为0.1至0.5莫耳。6.依据请求专利部份第1.项所述之一固态电解电容器,其中该半导体层系大抵由二氧化铅与硫酸铅组成之一薄层。7.一固态电解电容器有一结构,其中多数个第一箔片以电气方式连接至一负电极端,且一瓣形金属之多数个第二铝片各有一氧化物薄膜表层在其表面上,该等第二箔片以电气方式连接至一正电极端,该第一与第二箔片一片接一片交替叠置,其中一半导体层形成于连接至该负电极端之该电一箔片与该第二箔片之该氧化物薄膜层之间。8.依据请求专利部份第7.项所述之一固态电解电容器,其中该隔板加于连接至该连接至该负电极端第一箔片与连接至该正电极端之间,该等隔板分别邻近于该第一箔片之两侧。9.依据请求专利部份第7.项所述之一固态电解电容器,其中一间隔基加于连接至该负电极两个邻近之第一箔片间,且一间隔基加于连接至该正电极端两个邻近之第二箔片间。10.依据请求专利部份第7.或8.项所述之一固态电解电容器,其中该半导体层系大抵由二氧化铅组成之一薄层。11.依据请求专利部份第7.或8.项所述之一固态电解电容器,其中该半导体层系大抵由二氧化铅与硫酸铅组成之一薄层。12.一固态电解电容器有一结构,其中一瓣形金属之多数个第一箔片各有一氧化物薄膜层于其表面上,该等箔片以电气方式连接至一引线端,以及一瓣形金属之多数个第二箔片各有一氧化物薄膜层于表面上,该等箔片以电气方式连接至另一引线端,该第一与第二箔片一片接一片交替叠置,其中一半导体形成于该第一箔片之氧化物薄膜层与该第二箔片之该氧化物薄膜层之间。13.依据请求专利部份第12.项所述之一固态电解电容器,其中隔板乃置于该一引线端之各第一瓣形金属箔片与该另一吊线端之各第二瓣形金属箔片之间,该等隔板邻近于该第一瓣形金属箔片。14.依据请求专利部份第12.项所述之一固态电解电容器,其中间隔基置于该一引线端之第一瓣形金属箔片与该另一引线端之邻近第二瓣形金属箔片之间。15.依据请求专利部份第12.或13.项所述之一固态电解电容器,其中该半导体层系大抵由二氧化铅组成之一薄膜。16.依据请求专利部份第12.或13.项所述之一固态电解电容器,其中该半导体层系大抵由二氧化铅与硫酸铅组成之一薄层。 |
