主权项 |
l.一种新式矽控整流器电路,系由导通电路(Turn-on Circuits)、充电控电路(Charge Control Circuits)、直流置源电路(D.C Source Circuits)、切断电路(Turn-OFF Circuits)及矽控整流器(SCR)所组成,其中:导通电路:由二极体及宵阻分压器所组成,其输出供给二电路,一篇供矽控整流器之闸极与阴极间之触发电压,利用分压电阻分别直接连接,而使矽控整流器进入导通状态,另一电路系供应充电控制电路之输入电压,使其储能容器完成储能作用,其用分压电阻直接接于光电耦合IC之输入侧上,才电路与矽控整流器间之连接采用直接耦合(Direct Coupler)方式,而与充电控制电路间之连接采用光电耦合方式;充电控制电路:由光电耦合IC、二极体、电阻、电晶体达灵顿饱和电路或电力氧化场效电晶体电路及电容器所组成,所组成之元件皆采直接耦合连接,其电容器之工作电压(WorkingVoltage)及电容量(Capa-city)之大小随矽控整流器之切断所需电能而定,并不自限,而其电晶体达灵顿饱和电路所使用之电晶体数亦持需要而定,亦不自限,本电路与直流电源电路之连接采直接耦合方式,与导通电路间之稠合采用光电耦合方式,其与矽控整流器间之连接以二极体直接耦合;直流电源电路:为一般直流电源供应器(D.C power supply)其与充电控制电路间之耦合系以导线直接连接;切断电路:由电容器、电阻分压器、二极体、电晶体达窍顿饱和电路或电力氧化场致电晶体电路及光电耦合IC所组成,其中电容器之正端接至二极体,二极体再接驳矽控整流器之阴极,而矽控整流器之阳极则接驳电晶体达灵顿电路之集极(Collector),而其射极(Emitter)则与电容器之负端直接连接,其基极(Base)则接一电阻至电容器之负端而Base之另一电路为一接一电阻到光电耦合IC之输出侧,其电容器与充电控制电路之电容器为共用一电容器,并且其间之耦合采用直接耦合方式,其与矽控整流器之阴极间以二极推直接连接,而矽控整流器之阳极则与电晶体达灵顿电路之集极(Collector)采直接耦合方式;矽控整流器:为一般之矽控整流器,其与导通电路系采用直接耦合方式,而与切断电路间之耦合则采用直耦合方式。图示简单说明:图一所示为本发明之方块图。图二所示为本发明之电路图。图三所示为本发明之矽控整流器导通及切断之说明图。 |