| 主权项 |
1.一种于覆有表面层的基材上面形成细线图样的光蚀刻方法,本方法包含有以下的步骤:一个依序沈积对紫外线感光的光阻层及对深紫外线感光的光阻层的沙骤;一个将基材骤光至穿过面罩的深紫外线幅射源、以及将基材显镙及冲洗的步骤;一个将基材骤光至紫外线幅射、以及将基材显镙及冲洗的步骤。2.如申请专利范围第1项所述的形成细线图样的光蚀袁方法,其中第2个步骤更包含有:过量骤光至幅射强度50毫焦耳/平方公分或是更高的强度的深紫外线幅射之步骤;行过量的显影及清洗的涉骤,以形成一个较0.3微米为小的对深紫外线感光的光阻的细线图样。3.如申请专利范围第1项所述的形成细线图样的光蚀刻方法,其中上述的骤光至紫外线幅射源是泛光骤光;且上述的由第2步骤中之骤光至深紫外线幅射源及显影及冲洗所制成之光阻图样,可以被用来当做紫外线幅射源的光罩。4.如申请专利范围第1项所述的形成细线图样的光蚀刻方法;其中上述两个沈积于基村上的光阻是正光阻。5.如申请专利范围第1或4项所述的形成细线图样的光蚀刻方法;其中的对紫外线感光的光阻,其胶脂成份比感光成份高出2或3倍。6.如申请专利范围第1或4项所述的形成细线图样的光蚀刻方法中:其中之对深紫外线感光的光阻,是任何对深紫外 |
