用于倒装芯片LED的P-N分离金属填充物

摘要

一种发光二极管（LED）结构（10）具有半导体层，所述半导体层包括p型层、有源层以及n型层。p型层具有底表面，并且n型层具有穿过其发光的顶表面。部分p型层和有源层被蚀刻掉以露出n型层。LED的表面利用光致抗蚀剂来图案化，并且铜被镀在露出的表面上以形成电接触其相应的半导体层的p和n电极。在n和p电极之间存在间隙。为了提供对间隙之间的半导体层的机械支撑，在间隙中形成电介质层（34），之后用金属（42）填充间隙。金属被图案化以形成基本上覆盖LED管芯的底表面的柱状凸起（40,42,44），但是不会使电极短路。基本上均匀的覆盖在随后的工艺步骤期间支撑半导体层。

主权项

一种发光二极管（LED）倒装芯片结构，包括：半导体层，包括第一导电层、有源层以及第二导电层，所述半导体层具有面向基座的底表面和光穿过其发射的顶表面；与底表面相对并且电连接到所述第一导电层的第一电极；与底表面相对并且电连接到所述第二导电层的第二电极；使所述第一电极的侧壁和所述第二电极的相对的侧壁绝缘的第一电介质层，其中在所述第一电极的侧壁上的电介质层和所述第二电极的相对的侧壁上的电介质层之间存在至少一个间隙；以及与第一电极和第二电极分离地形成的第一金属层，所述第一金属层的第一部分至少部分地填充所述至少一个间隙并与第二电极电绝缘。