| 发明名称 | 降低闸极掺杂离子向下渗透之制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明系关于一种降低闸极掺杂离子向下渗透之制造方法，主要为在介于闸氧化层与复晶矽闸极之间更沈积形成一缓冲金属层，以藉该缓冲金属层以令复晶矽闸极之晶格与下方闸氧化层相互隔开，后续对复晶矽闸极之离子植入进行掺杂时，则采用角度约在４５～６０度之大角度离子植入方式进行，以降低掺杂离子直接经复晶矽之垂直晶格边缘向下渗透至下方其他各层内，故其采用非平行于复晶矽晶格边缘之大角度离子植入进行掺杂及在复晶矽下方设置缓冲金属层之制程，以解决或降低闸极掺杂物向下不当渗透之缺点。 | ||
| 申请公布号 | TW245813 | 申请公布日期 | 1995.04.21 |
| 申请号 | TW083104900 | 申请日期 | 1994.05.30 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 徐振聪 |
| 分类号 | H01L21/335 | 主分类号 | H01L21/335 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一 | |
| 主权项 | 1.一种降低闸极掺杂离子向下渗透之制造方法,包括:一在矽层之闸氧化层上方更沈积形成一金属层之步骤;一复晶矽层沈积形成闸极之步骤;及一对复晶矽闸极进行大角度离子植入,对之掺杂转变为低阻抗闸极之步骤;藉该夹置于闸氧化层与复晶矽闸极间之金属层以隔开复晶矽闸极晶格边缘,以提供离子渗透之阻隔与缓冲作用,并以该大角度离子植入之掺杂步骤,使植入之离子方向与晶格边缘错开,防止离子直接经晶格边缘渗透至下层者。2.如申请专利范围第1项所述之降低闸极掺杂离子向下渗透之制造方法,其中该金属层可为钛金属者。3.如申请专利范围第1项所述之降低闸极掺杂离子向下渗透之制造方法,其中该大角度离子植入角度约在45-60度范围者。第一图:系本发明之制程示意图。第二图:系习 | ||
| 地址 | 新竹科学工业园区工业东三路三号 | ||