| 主权项 |
1. 一种电子束曝光系统,包含:电子束发射装置(1),其用于发射具有一定电流密度之电子束(2);开子装置(7'),其具有多数重覆图型开口(7'a);第一偏向装置(6X,6Y),其配置在该电子束发射装置及该开孔装置之间,用于照射该电子束到该多数重覆图型开口上;及第二偏向装置(9X,9Y,10X,10Y),其用于偏向经该多数重覆图型开口之电子束,到涂层抗蚀剂之靶极(13)上,该系统包括:细分装置,用于细分该靶极面积成为具有对应该重覆图型开口数量之相同大小的多数子面积(S11,S12…);曝光时间计算装置,用于计算该子面积之曝光时间,使得该靶极之抗蚀剂中所沈积能量接近一定能量;及驱动装置,用于根据该曝光时间之个别一时间,来驱动该第二偏向装置,使得经该多数重覆图型开口之电子束照射到该靶极之各子面积。2. 如申请专利范围第1项之系统,其中该曝光时间计算装置计算该曝光时间,使得在该靶极周边部份处,该子面积中之一的个别一曝光时间,大于在该靶极中心部份处该子面积中之一的个别一曝光时间。3. 如申请专利范围第2项之系统,其中该曝光时间计算装置计算该一曝光时间,大于在该靶极周边部份处该子面积之一的个别一曝光时间。4. 如申请专利范围第1项之系统,其中该曝光时间计算装置计算该曝光时间,使得离该靶极边缘一电子向后散射范围之子面积的个别一曝光时间为一定値,而且接近该靶极边缘之子面积的一个别一曝光时间,比较该定値而逐渐递增。5. 一种电子束曝光系统,包含:电子束发射装置(1),其用于发射具有一定电流密度之电子束(2);开孔装置(7'),其具有多数重覆图型开口(7'a);第一偏向装置(6X,6Y),其配置在该电子束发射装置及该开孔装置之间,用于照射该电子束到该多数重覆图型开口;及第二偏向装置(9X,9Y,10X,10Y),用于使得经该多数重覆图型开口之电子束照射到一层涂层抗蚀剂之靶极(13)上,该系统包括:细分装置,用于细分该靶极面积成为多数子面积(S11,S12…),在该靶极中心部份处之该子面积大小,大于在该靶极周边处之大小;曝光时间计算装置,用于计算该子面积之曝光时间,使得该靶极之抗蚀剂中所沈积能量接近一定能量;第一驱动装置,其用于驱动第一偏向装置,来调整电子束根据该子面积个别大小所照射该多数重覆图型开口;及第二驱动装置,其用于驱动第二偏向装置,使得经该多数重覆图型开口之电子束,根据该曝光时间之个别一时间,来照射到该靶极之各子面积上。6. 如申请专利范围第5项之系统,其中该曝光时间计算装置计算该曝光时间,使得在该靶极周边部份处该子面积中之一的一个别曝光时间,大于在该靶极中心部份处该子面积中之一的一个别曝光时间。7. 如申请专利范围第6项之系统,其中该曝光时间计算装置计算该曝光时间,使得在该靶极转角部份处该子面积之一的一个别曝光时间。8. 一种电子束曝光系统,包含:电子束发射装置(1),其用于发射一电子束(2);开孔装置(7'),其具有多数重覆图型开口(7'a);第1偏向装置(6X,6Y),其配置在该电子束发射装置及该开孔装置之间,用于照射该电子束到该多数重覆图型开口上;及该第2偏向装置(9X,9Y,10X,10Y),其用于使得经该多数重覆图型开口之电子束偏向到一涂层抗蚀剂靶极(13)上,该系统包括:细分装置,其用于细分该靶极面积成为具有对应该多数重覆图型开口之相同大小的子面积(S11,S12…);剂量计算装置,其用于计算该子面积之剂量,使得该靶极之抗蚀剂中所沈积之能量接近一定能量;及驱动装置,其用于驱动该第二偏向装置,使得经该多数重覆图型开口之电子束,根据该剂量之个别一剂量来照射到该靶极之各该面积上。9. 一种电子束曝光系统,包含:电子束发射装置(1),其用于发射一电子束(2);开孔装置(7'),其具有多数重覆图型开口(7'a);第1偏向装置(6X,6Y),其配置在该电子束发射装置及该开孔装置之间,用于照射该电子束到该多数重覆图型开口上;及该第2偏向装置(9X,9Y,10X,10Y),其用于使得经该多数重覆图型开口之电子束偏向到一涂层抗蚀剂靶极(13)上,该系统包括:细分装置,其用于细分该靶极面积成为多数子面积,在该靶极中心部份处之该子面积大小,大于在该靶极周边部份处之大小;剂量计算装置,其用于计算该小面积之剂量,使得该靶极之抗蚀剂中所沈积能量接近一定能量;第1驱动装置,其用于驱动第1偏向装置,来调整电子束根据该子面积之个别大小所照射该多数重覆图型开口;及第2驱动装置,其用于驱动第2偏向装置,来使得经过该多数重覆图型开口之电子束,根据该剂量之个别一剂量来照射该靶极之各该子面积。图示简单说明:图1表示最早习用技术电子束曝光系统之示意图;图2表示第2习用技术电子束曝光系统之示意图;图3表示用于说明近接效应之DRAM装置的平面图;图4A,4B,5A及5B表示图3之DRAM装置的横剖面图;图6表示根据本发明电子束曝光系统之一实施例的示意图;图7表示图6之控制电路作业的流程图;图8表示应用于图7所示作业之DRAM装置的平面图;图9A及9B表示图8之DRAM装置的详细平面及横剖面图示;图10是用于说明图7之步骤701的DRAM装置平面图;图11是用于说明图7之步骤702的DRAM装置平面图;图12是用于说明图7之步骤703的DRAM装置平面图;图13是用于说明图7之步骤704的DRAM装置平面图;图14A及14B表示图7之程式常式所获得沈积能量的图示;图15表示图6控制电路之另一作业流程图;图16是用于说明图15之步骤1502的DRAM装置平面图;图17是用于说明图15之步骤703的DRAM装置平面图;及 |
