| 主权项 |
1. 一种可调式偏压产生器,其位于一积体电路最上层之金属层上,包括:复数个上拉元件,连接至电压源;复数个下拉元件,连接至地;一分压电路,分别连接于前述复数个上拉元件及前述复数个下拉元件,藉以决定所产生之偏压値;复数个熔丝装置,分别位于前述复数个上拉元件及前述复数个下拉元件的电路间,用以控制前述复数个上拉元件及前述复数个下拉元件与前述分压电路的连接方式;及复数个选择路径,用以可选择将部分前述复数个上拉元件连接至电压源,以调整上拉元件的上拉能力,同时可选择将部分前述复数个下拉元件连接至地,以调整下拉元件的下拉能力,藉以调整所产生的偏压値。2. 如申请专利范围第1项的可调式偏压产生器,其中,前述上拉元件系由MOS电晶体构成。3. 如申请专利范围第1项的可调式偏压产生器,其中,前述下拉元件系由MOS电晶体构成。4. 如申请专利范围第1项的可调式偏压产生器,其中,前述分压电路系包括一NMOS电晶体、一PMOS电晶体及一稳压电容器。5. 如申请专利范围第2项的可调式偏压产生器,其中,前述复数个上拉元件系由复数个PMOS电晶体串联形成。6. 如申请专利范围第4项的可调式偏压产生器,其中,前述NMOS电晶体为一低临界电压元件。7. 一种可调式偏压产生器,其位于一积体电路最上层之金属层上,包括:一上拉装置,包含复数个串联的上拉元件,其一端连接至电压源,且复数个串联的上拉元件之闸极均连接至地,用以拉高偏压値;一下拉装置,包含第一组下拉元件及一第二组下拉元件,其均连接至地,用以拉低偏压値;一开关装置,连接于前述第一组下拉元件及第二组下拉元件之间,以决定二者是否并联;一控制装置,用以控制前述开关装置的连接与否;一分压电路,分别连接于前述上拉装置及前述下拉装置,藉以决定所产生之偏压値;复数个熔丝装置,分别位于前述控制装置中及前述下拉装置的电路间,用以控制前述下拉装置与前述分压电路的连接方式;及复数个选择路径,用以可选择在不同位置将前述上拉装置连接至电压源,以调整上拉元件的上拉能力,同时可选择在不同位置将前述下拉装置连接至地,以调整下拉元件的下拉能力,藉以调整所产生的偏压値。8. 如申请专利范围第7项的可调式偏压产生器,其中,前述第一组下拉元件系包括三个串联的MOS电晶体,其一端接地,另一端和其闸极均连接至前述开关装置。9.如申请专利范围第7项的可调式偏压产生器,其中,前述第二组下拉元件系包括复数对并联及串联的MOS电晶体。10. 如申请专利范围第7项的可调式偏压产生器,其中,前述控制装置系包括:一PMOS电晶体,其一端接电压源,另一端经一熔丝装置接地,且其闸极亦接至地;及一稳压电容器,与前述熔丝装置并联。11. 如申请专利范围第7项的可调式偏压产生器,其中,前述开关装置为一MOS电晶体。12. 如申请专利范围第7项的可调式偏压产生器,其中,前述分压电路系包括一NMOS电晶体、一PMOS电晶体及一稳压电容器。图示简单说明: |
