| 主权项 |
1.一种半导体制造装置之基板加热装置,备有:设在真空槽内之加热器支撑框、设在该加热器支撑框内且设有多数之面对面型平板加热器(panel heater)及用以将被处理基板支撑在各面对面型平板加热器间之支撑构件。2.如申请专利范围第1项之半导体制造装置之基板加热装置,备有:设在上述面对面型平板加热器之两端部之侧面型平板加热器。3.如申请专利范围第1项之半导体制造装置之基板加热装置,上述面对面型平板加热器侧面之中央固定在加热器支撑框,在面对面型平板加热器之侧面两端部设有隔热轴环,该隔热轴环嵌合于刻设在加热器支撑框之沟。4.如申请专利范围第1项之半导体制造装置之基板加热装置,在加热器支撑框侧配设可在被处理基板之一边侧承载被处理基板之基板座,在面对面型平板加热器植设可引导被处理基板之另一边之基板导梢。5.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之半导体制造装置之基板加热装置,其中平板加热器系埋设有加热线之铝制之铸入型平板加热器。6.如申请专利范围第5项之半导体制造装置之基板加热装置,其中多数之面对面型平板加热器系可个别控制其温度者。7.如申请专利范围第5项之半导体制造装置之基板加热装置,其中一个平板加热器被分割为多区,而依各区个别控制其温度。8.如申请专利范围第2项之半导体制造装置之基板加热装置,其中侧面型平板加热器为发热体,将该侧面型平板加热器至少以隔热方式配设在加热器支撑框之侧框,而将面对面型平板加热器横跨配设在上述左右之侧面型平板加热器,由上述侧面型平板加热器藉热传导对该面对面型加热器加热。9.如申请专利范围第8项之半导体制造装置之基板加热装置,其中侧面型平板加热器有上下方向分割之加热区,该加热区之温度系个别加以控制。10.如申请专利范围第8项之半导体制造装置之基板加热装置,其中侧面型平板加热器有棚架部,该棚架部可承载面对面型平板加热器之端部,上述面对面型加热器之端部系藉按压构件按压在上述棚架部。11.如申请专利范围第10项之半导体制造装置之基板加热装置,其中按压构件系由,载置于上述面对面型平板加热器端部之加热器按压件,嵌合于该加热器按压件与上述棚架部之加热器夹钳,及螺合在该加热器夹钳,将上述加热器按压件按压在上述面对面型加热器之按压螺栓,所构成。12.如申请专利范围第1项之半导体制造装置之基板加热装置,其中加热器支撑框备有反射板。13.如申请专利范围第2项之半导体制造装置之基板加热装置,其中加热器支撑框备有反射板。14.如申请专利范围第1,2,3,4,8,12及13项中任一项之半导体制造装置之基板加热装置,系构造成可由真空槽之侧壁运入被处理基板,加热器支撑框则系介由气密方式贯穿真空槽底板之支柱支撑之,而介由螺母连结在该支柱之螺族杆系由昇降马达驱动而转动。图示简单说明:第一图系表示本发明第1实施例之侧向截面图。第二图系同前之第1实施例之基板加热单元之分解斜视图。第三图系同前之基板加热单元之部分侧面图。第四图系同前之基板加热单元之切除一部分之部分正面图。第五图系同前之基板加热单元之正面图。第六图系本发明第2实施例之基板加热单元之分解斜视图。第七图系同前之基板加热单元之切除一部分之部分正面图。第八图系第六图之A部分放大图。第九图系第七图之B部分放大图。第十图系传统例子之正面截面图。第十一图系传统例子之侧面截面图。第十二图系其他传统例子之侧面截面图。 |
