| 主权项 |
1.一种形成微影图案以制作半导体晶圆中半导体结构之方法,该方法至少包含:形成第一膜层于该半导体晶圆之上;形成第二膜层于该第一膜层之上,该第二膜层与该第一膜层间具有高选择性蚀刻特性,该第二膜层于后续蚀刻该第一膜层制程中做为蚀刻罩幕;形成抗反射层于该第二膜层之上,该抗反射层与该第二膜层间具有高选择性蚀刻特性,该抗反射层于后续蚀刻该第二膜层制程中做为蚀刻罩幕;形成一光阻之图案于该抗反射层之上;以该光阻做为蚀刻罩幕蚀刻该抗反射层;以该抗反射层做为蚀刻罩幕蚀刻该第二层;及以该第二层做为蚀刻罩幕蚀刻该第一层以形成该半导体结构。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一层为复晶矽层。3.如申请专利范围第2项之方法,其中上述之第二层为BPSG。4.如申请专利范围第3项之方法,其中上述之抗反射层为非晶形矽。5.如申请专利范围第3项之方法,其中上述之抗反射层为氮化钛。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之光阻可以于蚀刻该第二层过程中去除。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之抗反射层可以在蚀刻该第一层过程中去除。8.如申请专利范围第2项之方法,其中形成上述复晶矽之前更包含形成二氧化矽层。9.如申请专利范围第8项之方法,更包含下列之步骤:去除该BPSG;形成闸极氧化层;及形成该半导体结构之掺杂区。10.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之BPSG是以氢氟酸去除。11.如申请专利范围第3项之方法,其中形成上述BPSG层之后更包含对该BPSG层施以热处理。12.如申请专利范围第2项之方法,其中上述之复晶矽层之厚度约为500至2000埃。13.如申请专利范围第3项之方法,其中上述之BPSG层之厚度约为2500至3000埃。14.如申请专利范围第4项之方法,其中上述之非晶形矽层之厚度约为450至550埃。15.如申请专利范围第3项之方法,其中用以蚀刻上述复晶矽层之蚀刻剂为C2F6,SF6,CF4+O2,CF4+Cl2,CF4+HBr,HBr/Cl2/O2,Cl2,HBr/O2,BCl3/Cl2,SiCl4/Cl2,SF6,SF6/Br2,CCl4/Cl2或CH3F/Cl2。16.如申请专利范围第4项之方法,其中蚀刻上述之BPSG层之蚀刻剂为氢氟酸。17.如申请专利范围第4项之方法,其中上述之非晶形矽层为使用氧电浆蚀刻。18.一种形成半导体闸极之方法,该方法至少包含:形成闸极氧化层于晶圆之上;形成复晶矽层于该闸极氧化层之上;形成BPSG层于该复晶矽层之上;形成非晶形矽层于该BPSG层之上;形成一光阻之图案于该非晶形矽层之上;以该光阻做为蚀刻罩幕蚀刻该非晶形矽层;以该非晶形矽层做为蚀刻罩幕蚀刻该BPSG;及以该BPSG层做为蚀刻罩幕蚀刻该复晶矽层以形成该闸极。图式简单说明:第一图为本发明之形成二氧化矽与复晶矽于晶圆上之截面图;第二图为本发明之形成BPSG于复晶矽上之截面图;第三图为本发明之形成非晶形矽于BPSG上之截面图;第四图为本发明之形成一光阻于非晶形矽之截面图;第五图为本发明之以光阻为蚀刻罩幕将非晶形矽蚀刻之截面图;第六图为本发明之以非晶形矽为蚀刻罩幕将BPSC蚀刻之截面图;第七图为本发明之BPSG为蚀刻罩幕将复晶矽蚀刻之截面图;及第八图为本发明之形成MOS电晶体之截面图。 |
