| 主权项 |
1.一种进行湿式氧化制程之装置,其外接一氧气供应源、一氢气供应源以及一氮气供应源,该装置包括:一氧化炉管;一第一气体管路,一端与该氧化炉管连通;一第二气体管路,一端与该第一气体管路连通,另一端与外部连通;一第三气体管路,一端与该第一气体管路连通,另一端与该氮气供应源连通,且其与该第一气体管路的连通处比该第二气体管路与该第一气体管路的连通处更接近该氧化炉管;一燃烧室,具有一入口和一出口,其出口与该第一气体管路的另一端连通,且用以使氧气与氢气于其中燃烧成水气;一第四气体管路,一端与该燃烧室的入口连通,另一端分别与该氧气供应源、该氢气供应源以及该氮气供应源连通;一第一阀门,设置于该第一气体管路上,且其位于该第三气体管路与该第一气体管路的连通处以及该第二气体管路与该第一气体管路的连通处之间;一第二阀门,设置于该第二气体管路上,藉由开启该第二阀门,在湿式氧化制程前后由氧气排除残留于该燃烧管中之水气;以及一第三阀门,设置于该第三气体管路上,藉由开启该第三阀门,在湿式氧化制程后由氧气排除残留于该氧化炉管中之水气。2.如申请专利范围第1项所述的装置,更包括:一第五气体管路,连通该氧气供应源与该第四气体管路;一第六气体管路,连通该氢气供应源与该第四气体管路;一第七气体管路,连通该氮气供应源与该第四气体管路;以及一第八气体管路,连通该氮气供应源与该第四气体管路。3.如申请专利范围第2项所述的装置,更包括:一第一流量控制器,设置在该第五气体管路上;一第二流量控制器,设置在该第六气体管路上;一第三流量控制器,设置在该第七气体管路上;一第四流量控制器,设置在该第八气体管路上;以及一第五流量控制器,设置在该第三气体管路上,且位于该第三阀门以及该第三气体管路与该第一气体管路的连通处之间。4.如申请专利范围第3项所述的装置,更包括:一第四阀门,设置在该第五气体管路上,且位于该第一流量控制器以及该氧气供应源之间;一第五阀门,设置在该第六气体管路上,且位于该第二流量控制器以及该氢气供应源之间;一第六阀门,设置在该第七气体管路上,且位于该第三流量控制器以及该氮气供应源之间;以及一第七阀门,设置在该第八气体管路上,且位于该第四流量控制器以及该氮气供应源之间。5.如申请专利范围第4项所述的装置,更包括:一第九气体管路,分别连通该氮气供应源与该第三气体管路、该第七气体管路和该第八气体管路;以及一第八阀门,设置在该第九气体管路上。6.一种湿式氧化制程,其系利用如申请专利范围第1项所述的装置,包括下列步骤:(a)将一矽基底送入该氧化炉管中,并持续通入氮气和小量氧气;(b)加热该氧化炉管使达到一反应温度;(c)关闭该第一阀门、该第三阀门,且开启该第二阀门,使氧气经由该第二气体管路而至外部;(d)关闭该第二阀门,且开启该第一阀门,以使在该燃烧室中形成之水气经由该第一气体管路被送入该氧化炉管中,而开始湿式氧化反应以形成一闸氧化层于该矽基底上;(e)关闭该第一阀门,且开启该第二阀门和该第三阀门,使得该湿式氧化反应终止,且使氧气和氮气经由该第二气体管路而至外部,且氮气经由该第三气体管路和该第一气体管路而进入该氧化炉管中;以及(f)降低该氧化炉管的温度至室温后取出该矽基底,完成该湿式氧化制程。7.如申请专利范围第6项所述的方法,其中该步骤(d)之氧气流量比该步骤(a)之氧气流量大。 |
