| 主权项 |
1.一种自动对准金属矽化物制程,包括下列步骤:提供一半导体基底,且在该半导体基底上形成一闸极氧化层;在该闸极氧化层上形成一闸极,该闸极具有一顶表面与一侧壁;进行一第一金属矽化物制程,在该闸极的该顶表面与该侧壁上形成一第一金属矽化物层,使得该第一金属矽化物层包覆住该闸极暴露出来的表面;在该闸极侧壁形成一间隙壁,该间隙壁与该闸极侧壁之间有该第一金属矽化物层;进行一离子植入步骤,以该间隙壁与该闸极为罩幕,在该闸极两侧的该半导体基底中形成一源极/汲极区;以及进行一第二金属矽化物制程,在该源极/汲极区上形成一第二金属矽化物层。2.如申请专利范围第1项所述之制程,其中在形成该间隙壁之前,更包括进行一离子植入步骤,以该闸极为罩幕,在该闸极两侧的该半导体基底中形成一浅掺杂区。3.如申请专利范围第2项所述之制程,其中该浅掺杂区的离子浓度比该源极/汲极区的离子浓度低。4.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该闸极的材料包括掺杂的复晶矽。5.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该第一金属矽化物层的厚度约在200-1000埃之间。6.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该第一金属矽化物层的材料包括矽化钛(TiSi2)。7.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该第一金属矽化物层的材料包括矽化钴(CoSi2)。8.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该第二金属矽化物层的厚度约在200-1000埃之间。9.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该第二金属矽化物层的材料包括矽化钛(TiSi2)。10.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该第二金属矽化物层的材料包括矽化钴(CoSi2)。11.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该间隙壁的材料包括氮化矽。12.一种自动对准金属矽化物制程,包括下列步骤:提供一半导体基底,且在该半导体基底上依序形成一闸极氧化层与一复晶矽闸极;进行一第一金属矽化物制程,该第一金属矽化物制程包括:在该复晶矽闸极上形成一第一金属层;进行热制程,使得该第一金属层会与该复晶矽闸极作用,而在该复晶矽闸极暴露出来的表面形成一第一金属矽化物层,使得该第一金属矽化物层包覆住该复晶矽闸极暴露出来的表面;以及去除剩余未反应的该第一金属层;进行一第一离子植入步骤,以该复晶矽闸极为罩幕,在该复晶矽闸极两侧的该半导体基底中形成一浅掺杂区;在该复晶矽闸极的侧壁上形成一间隙壁,该间隙壁与该复晶矽闸极侧壁之间有该第一金属矽化物层;去除未被该复晶矽闸极与该间隙壁覆盖的该闸极氧化层,暴露出该半导体基底;进行一第二离子植入步骤,以该间隙壁与该闸极为罩幕,在该复晶矽闸极两侧的该半导体基底中形成一源极/汲极区;以及进行一第二金属矽化物制程,该第二金属矽化物制程包括:在该源极/汲极区上形成一第二金属层;进行热制程,使得该第二金属层会与该半导体基底的矽作用,而在该源极/汲极区的表面形成一第二金属矽化物层;以及去除剩余未反应的该第二金属层。13.如申请专利范围第12项所述之制程,其中该第一金属层的材料包括钛。14.如申请专利范围第13项所述之制程,其中该第一金属矽化物层的材料包括矽化钛(TiSi2)。15.如申请专利范围第12项所述之制程,其中该第一金属层的材料包括钴。16.如申请专利范围第15项所述之制程,其中该第一金属矽化物层的材料包括矽化钴(CoSi2)。17.如申请专利范围第12项所述之制程,其中该第一金属矽化物层的厚度约在200-1000埃之间。18.如申请专利范围第12项所述之制程,其中该第二金属层的材料包括钛。19.如申请专利范围第18项所述之制程,其中该第二金属矽化物层的材料包括矽化钛(TiSi2)。20.如申请专利范围第12项所述之制程,其中该第二金属层的材料包括钴。21.如申请专利范围第20项所述之制程,其中该第二金属矽化物层的材料包括矽化钴(CoSi2)。22.如申请专利范围第12项所述之制程,其中该第二金属矽化物层的厚度约在200-1000埃之间。23.如申请专利范围第12项所述之制程,其中该间隙壁的材料包括氮化矽。24.如申请专利范围第12项所述之制程,其中该浅掺杂区的离子浓度比该源极/汲极区的离子浓度低。25.一种具有金属矽化物层的半导体元件,该元件包括:一半导体基底;一闸极氧化层,设在该半导体基底上;一闸极,设在该闸极氧化层上,该闸极具有一顶表面与一侧壁;一源极/汲极区,设在该闸极两侧的该半导体基底中;一第一金属矽化物层,设在该闸极的该顶表面与该侧壁上;一第二金属矽化物层,设在该源极/汲极区上;以及一间隙壁,设在该闸极侧壁之该第一金属矽化物上,以及该闸极与该源极/汲极区之间的该半导体基底上。26.如申请专利范围第25项所述之具有金属矽化物层的半导体元件,其中该闸极的材料包括掺杂的复晶矽。27.如申请专利范围第25项所述之具有金属矽化物层的半导体元件,其中更包括在该间隙壁下的该半导体基底中,设有一浅掺杂区。28.如申请专利范围第25项所述之具有金属矽化物层的半导体元件,其中该第一金属矽化物层的厚度约在200-1000埃之间。29.如申请专利范围第25项所述之具有金属矽化物层的半导体元件,其中该第一金属矽化物层的材料包括矽化钛(TiSi2)。30.如申请专利范围第25项所述之具有金属矽化物层的半导体元件,其中该第一金属矽化物层的材料包括矽化钴(CoSi2)。该第一金属矽化物层的厚度约在200-1000埃之间。31.如申请专利范围第25项所述之具有金属矽化物层的半导体元件,其中该第二金属矽化物层的厚度约在200-1000埃之间。32.如申请专利范围第25项所述之具有金属矽化物层的半导体元件,其中该第二金属矽化物层的材料包括矽化钛(TiSi2)。33.如申请专利范围第25项所述之具有金属矽化物层的半导体元件,其中该第二金属矽化物层的材料包括矽化钴(CoSi2)。图式简单说明:第一图其所绘示的为习知一种具有自动对准金属矽化物的半导体元件剖面示意图;以及第二图A至第二图F其所绘示的为根据本发明之一较佳实施例,一种自动对准金属矽化物制程的剖面示意图。 |
