| 主权项 |
1.一种半导体制造设备,其系由以下部分所构成:洁净室(1);半导体制造机器(12),其系设置在该清洁室(1)内,于使用时随伴发热;筐体(11),其系覆盖该半导体制造机器(12),并使前述洁净室内的空气导入内部;及排气管路材料(24,25),其系将前述筐体(11)内的空气排出前述洁净室(1),该半导体制造设备的特征为,藉由在前述筐体(11)内设置隔热材料(4),防止从前述筐体(11)所产生的热排放至前述洁净室(1)内的空气中。2.如申请专利范围第1项之半导体制造设备,藉由在前述排气管路材料(24,25)上设置隔热材料(5),防止热从前述排气管路材料(24,25)排放至前述洁净室(1)内的空气中。3.一种半导体制造设备,其系由以下部分所构成:洁净室(1);半导体制造机器(12),其系设置在该洁净室(1)内,于使用时随伴发热;筐体(11),其系覆盖该半导体制造机器(12);及排气管路材料(24,25),其系将前述筐体(11)内的空气排出前述洁净室(1),该半导体制造设备的特征为,设置隔离包围材料(61),其系包围前述筐体(11),将前述筐体(11)与洁净室(1)的空气隔离,并使前述洁净室(1)内的空气导入内部,藉由在隔离包围材料(61)上设置隔热材料(62),防止热从前述隔离包围材料(61)的内部排放至前述洁净室(1)内的空气中。4.一种半导体制造设备,其系由以下部分所构成:洁净室(1);半导体制造机器(12),其系设置在该洁净室(1)内,于使用时随伴发热;筐体(11),其系覆盖该半导体制造机器(12);及排气管路材料(24,25),其系将前述筐体(11)内的空气排出前述洁净室(1),该半导体制造设备的特征为,设置空气导入管路材料(71),将前述洁净室(1)的外部空气导入前述筐体(11)内,藉由在前述筐体(11)上设置隔热材料(4),防止热从前述筐体(11)排放至前述洁净室(1)内的空气中。5.如申请专利范围第4项之半导体制造设备,藉由在前述排气管路材料(24,25)上设置隔热材料(5),防止热从前述排气管路材料(24,25)排放至前述洁净室(1)内的空气中。6.如申请专利范围第4项之半导体制造设备,在前述空气导入管路材料(71)上设置隔热材料(72)。7.一种半导体制造设备,其系由以下部分所构成:洁净室(1);半导体制造机器(12),其系设置在该洁净室(1)内,于使用时随伴发热;筐体(11),其系覆盖该半导体制造机器(12);及排气管路材料(24,25),其系将前述筐体(11)内的空气排出前述洁净室(1),该半导体制造设备的特征为,藉由设置隔离包围材料(61),其系包围前述筐体(11),将前述筐体(11)与洁净室(1)的空气隔离;设置空气导入管路材料(71),将前述洁净室(1)的外部空气导入前述隔离包围材料(61)及前述筐体(11)之间的空间内;在该空气导入管路材料(71)上设置隔热材料(72);及在前述隔离包围材料(61)上设置隔热材料(62),防止热从前述隔离包围材料(61)的内部排放至前述洁净室(1)内的空气中。8.如申请专利范围第1项或第4项之半导体制造设备,前述筐体(11)及/或前述排气管路材料(24,25)设有不会产生气体状污染物质的热反射膜。9.如申请专利范围第2项或第7项之半导体制造设备,前述隔离包围材料(61)及/或前述排气管路材料(24,25)设有不会产生气体状污染物质的热反射膜。10.如申请专利范围第4项之半导体制造设备,前述筐体(11)采用不会产生气体状污染物质的密封材料(15c)加以密闭。11.如申请专利范围第3项或第7项之半导体制造设备,前述隔离包围材料(61)采用不会产生气体状污染物质的密封材料(15c)加以密闭。12.如申请专利范围第1项至第7项之任何一项的半导体制造设备,前述隔热材料(4,5,62,72)由不会产生气体状污染物质的材料所形成。13.如申请专利范围第12项之半导体制造设备,前述隔热材料(4,5,62,72)由树脂发泡体所构成。14.如申请专利范围第1项至第7项之任何一项的半导体制造设备,前述隔热材料(4,5,62,72)用不会产生气体状污染物质的密封材料覆盖并密封。15.如申请专利范围第14项之半导体制造设备,前述密封材料由金属板所构成,该金属板与前述隔热材料形成金属面板。16.一种配置在洁净室(1)内而对被处理体进行指定处理时发热半导体制造装置,其系由以下部分所构成:处理部(12),其系对前述被处理体进行指定的处理;筐体(11),其系覆盖该处理部(12),可以将前述洁净室内的空气导入内部;及第一个排气管路材料(24),其系将前述筐体(11)内的空气排出前述洁净室(1),该半导体制造装置的特征为,藉由在前述筐体(11)上设置隔热材料(4),防止热从前述筐体(11)排放至前述洁净室(1)内的空气中。17.如申请专利范围第16项之半导体制造装置,藉由在前述第一个排气管路材料(24)上设置隔热材料(5),防止热从前述第一个排气管路材料(24)排放至前述洁净室(1)内的空气中。18.如申请专利范围第17项之半导体制造装置,设有搬出室(10),其系容纳从前述处理部搬出之前述被处理体;另设有第二个排气管路材料(25),其系将该搬出室(10)的空气排出前述洁净室(1)。19.如申请专利范围第18项之半导体制造装置,前述搬出室(10)具有用于导入前述洁净室(1)内之空气的风扇(18)及过滤通过该风扇(18)之空气的滤清器(18a)。20.如申请专利范围第16项至第19项之任何一项的半导体制造装置,前述搬出室(10)由前述筐体(11)所构成,前述搬出室(10)以隔离材料(21)自容纳前述处理部(12)的空间隔离开。21.一种配置在洁净室(1)内而对被处理体进行指定处理时发热半导体制造装置,其系由以下部分所构成:处理部(12),其系对前述被处理体进行指定的处理;搬出室(10),其系容纳从前述处理部所搬出的前述被处理体;及筐体(11),其系覆盖前述处理部(12)及前述搬出室(10),该半导体制造装置的特征为,还具有:第一个排气管路材料(24),其系将前述处理部(12)附近的空气排出洁净室(1);第二个排气管路材料(25),其系将前述搬出室(10)附近的空气排出前述洁净室(1);空气导入管路材料(71),其系将前述洁净室(1)外部的空气导入前述处理部(12)的附近;空气导入手段(18),其系将前述洁净室(1)内的空气导入前述搬出去(10)的附近;及隔热材料(4,72),其系设置在前述筐体(11)及前述空气导入管路材料(71)上。22.如申请专利范围第21项之半导体制造装置,在前述第一个排气管路材料(24)及前述第二个排气管路材料(25)上设置隔热材料(5)。23.一种半导体制造方法,用于由以下部分所构成的半导体制造装置:处理部(12),其系对被处理体进行指定的处理;搬出室(10),其系容纳从前述处理部所搬出的前述被处理体;筐体(11),其系覆盖前述处理部(12)及前述搬出室(10);第一个排气管路材料(24),其系将前述处理部(12)附近的空气排出洁净室(1);第二个排气管路材料(25),其系将前述搬出室(10)附近的空气排出前述洁净室(1);空气导入管路材料(71),其系将前述洁净室(1)外部的空气导入前述处理部(12)的附近;空气导入手段(18),其系将前述洁净室(1)内的空气导入前述搬出室(10)的附近;及隔热材料(4,72),其系设置在前述筐体(11)及前述空气导入管路材料(71)上,该半导体制造方法的特征为:具有通过前述空气导入管路材料(71)将前述洁净室(1)外部的空气导入前述处理部(12)的四周,再通过前述第一个排气管路材料(24)排出前述洁净室(1)的排气步骤;及藉由前述空气导入手段(18),将前述洁净室(1)内的空气导入前述搬出室(10)附近,再通过前述第二个排气管路材料(25)排出前述洁净室(1)的排气步骤。图式简单说明:第一图为习知半导体制造设备的剖面图。第二图为半导体制造设备进行实验的实验装置结构图。第三图为本发明第一个实施例的半导体制造设备剖面图。第四图为本发明第一个实施例的半导体制造设备剖面图。第五图为本发明第二个实施例的半导体制造设备剖面图。第六图为本发明第三个实施例的半导体制造设备剖面图。第七图为本发明第四个实施例的半导体制造设备剖面图。第八图为本发明对半导体制造设备之实验结果的说明图。第九图为计算洁净室内使用之能源量的说明图。第十图为隔热材料产生之物质的分析装置结构图。第十一图为计算洁净室内使用之能源量的说明图。 |
