| 主权项 |
1.一种绝缘闸极场效半导体装置之制造方法,其包括步骤:(a)提供具有第一传导性形式第一表面层以及下方第二传导性形式第二层之半导体基材,并形成具有该第一表面层之PN接头;(b)在该第一表面层第一部分上选择性形成闸极绝缘层;(c)将该第一表面层第一部分之第一处转换成第二传导性形式,该第一表面层第一部分之第一处在该闸极绝缘层附近,而该第二传导性形式之第二层位于第一表面层下方,如此该PN接头伸至该闸极绝缘层;(d)在该闸极绝缘层上形成传导性闸极材料层,其位于第一表面层第一部分之第二处上,与第一处相邻;及(e)在该第一表面层形成该第二传导性形式区,其位于第一表面层第一部分之第二处旁,其上覆盖传导性闸极材料层。2.根据申请专利范围第1项之方法,其特征系步骤(b)包括(b1)在该第一表面层之经选择部分选择性形成第一厚度之场绝缘层,其位于该第一部分旁,(b2)在该第一表面层第一部分上选择性形成第二厚度之闸极绝缘层,该第二厚度小于第一厚度;而且其中步骤(c)包括(c1)在该场绝缘层与闸极绝缘层上非选择性形成间隔材料层,如此该间隔材料层之第一部分覆盖在第一表面第一部分之第二处上,其具有第一厚度,而间隔材料层之第二部分覆盖有该第一表面层第一部分之第一处上,其具有小于第一厚度之第二厚度,及(c2)以第二传导性形式杂质植入步骤(c1)所形成结构,如此该第二传导性形式杂质通过覆盖在第一表面层第一部分之第一处上之间隔材料层第二部分,并将该第一表面层第一部分之第一处转换成第二传导性形式,但是其受到间隔材料层第一部分阻碍,无法进入该经选择部分与第一表面层第一部分之第一处。3.根据申请专利范围第2项之方法,其特征系该间隔材料层包括该导电性闸极材料,而且其中步骤(d)包括(d1)在该间隔材料层上非选择性形成该导电闸极材料之平坦化层,以及(d2)回蚀该导电闸极材料层,至低于该场绝缘层水平为止。4.根据申请专利范围第3项之方法,其特征系步骤(e)包括(e1)去除该场绝缘层使其上覆盖导电闸极材料层,如此曝露出第一表面层之经选择部分,以及(e2)将第二导电闸极材料层之杂质导入该第一表面层经选择部分之预定处。5.根据申请专利范围第4项之方法,其中步骤(a)包括将第一传导性形式之杂质导入第二传导性形式基材半导体表面,如此形成第一传导性形式第一表面层,其自该半导体基材表面伸出,并形成一个具有第二层之PN接头,以预定深度分离该第二层与该半导体基材表面。6.一种绝缘闸极场效半导体装置之制造方法,其包括步骤:(a)将第一传导性形式之杂质导入第二传导性形式基材半导体表面,如此形成第一传导性形式第一表面层,其自该半导体基材表面伸出,并形成一个具有第二层之PN接头,以预定深度分离该第二层与该半导体基材表面;(b)在该第一表面层经选择部分选择性形成第一厚度场绝缘层,其在第一部分旁,并且在第一表面层之第一部分选择性形成第二厚度之闸极绝缘层,其厚度小于第一厚度;(c)在该场绝缘层与该闸极绝缘层上非选择性形成一导电闸极材料层,作为一间隔材料层,如此该间隔材料层之第一部分覆盖在第一表面第一部分之第二处上,其具有第一厚度,而间隔材料层之第二部分覆盖有该第一表面层第一部分之第一处上,其具有小于第一厚度之第二厚度,并且以第二传导性形式杂质植入所形成结构,如此该第二传导性形式杂质通过覆盖在第一表面层第一部分之第一处上之间隔材料层第二部分,并将该第一表面层第一部分之第一处转换成第二传导性形式,但是其受到间隔材料层第一部分阻碍,无法进入该经选择部分与第一表面层第一部分之第一处;(d)在该间隔材料层上非选择性形成该导电闸极材料之平坦化层,并回蚀该导电闸极材料层,至低于该场绝缘层水平为止,以及(e)在该第一表面层中形成一个第二传导性形式区,其在该第一表面层第一部分之第二处旁,去除该场绝缘层使其上覆盖导电闸极材料层,如此曝露出第一表面层之经选择部分,并将第二导电闸极材料层之杂质导入该第一表面层经选择部分之预定处。图式简单说明:第一图-第七图显示习用浅井金氧半导体场效电晶体形成方法之个别步骤;第八图示使用第一图-第七图习用处理顺序所制得装置之开启状态期间电流密度;第九图-第二十图显示本发明浅井金氧半导体场效电晶体处理顺序之个别步骤;及第二十一图示使用第九图-第二十图习用处理顺序所制得装置之开启状态期间电流密度。 |
