| 主权项 |
1.一种乾蚀装置,其特征在于包含有:处理室;设置于前述处理室内且用以设置被加工物之试料台;排出前述处理室内气体之排气装置;导入气体于前述处理室内之装置;UHF电源;与前述UHF电源连接之天线;使前述天线与处理室分离之分离板。2.根据申请专利范围第1项之乾蚀装置,其中前述分离板为介电体。3.根据申请专利范围第1或2项之乾蚀装置,其中前述分离板系以前述天线作为大气侧,并用以使前述处理室与真空侧分离之分离板。4.根据申请专利范围第1项之乾蚀装置,其中导入前述气体之装置系具有与前述试料台平行配置之簇流平板,前述试料台与簇流平板之距离为100mm以下。5.一种乾蚀装置,其特征在于包含有:处理室;设置于前述处理室内且设置被蚀刻物之台;导入气体于前述处理室内之装置;排出前述处理室内气体之装置;使前述处理室、与压力比前述处理室内之压力还高的第2区域分离之分离板;形成于第2区域之微波传输天线;连接于微波传输天线之UHF电源;设置于前述处理室之外周的线圈。6.根据申请专利范围第5项之乾蚀装置,其中前述UHF电源系供给周波数300MHz以上1GHz以下之UHF波之电源。7.根据申请专利范围第5项之乾蚀装置,其中前述微波传输天线为圆盘状。8.根据申请专利范围第5项之乾蚀装置,其中前述微波传输天线被设置成TM01振荡型可共振。9.根据申请专利范围第5项之乾蚀装置,其中可将来自前述UHF电源之电力供给至前述微波传输天线的给电部,系形成圆锥状。10.一种乾蚀装置,其特征在于包含有:处理室;设置于前述处理室内且用以设置被加工物之试料台;排出前述处理室内气体之排气装置;导入气体于前述处理室内之装置;设置于前述处理室内之介电体的内筒;设置于前述处理室内、且设定于接地电位、与前述介电体之内筒的高度重叠部分为10mm以上之导体内筒;UHF电源;与前述UHF电源连接之天线;使前述天线与处理室分离之分离板。11.一种乾蚀装置,其特征在于包含有:处理室;设置于前述处理室内且用以设置被加工物之试料台;排出前述处理室内气体之排气装置;于前述处理室内呈簇流状导入气体之簇流平板;UHF电源;具有与前述UHF电源连接之导体板的天线;以覆盖前述导体板及簇流平板之外周部的方式所设置之线圈;使前述天线与处理室分离之分离板。12.根据申请专利范围第11项之乾蚀装置,其中线圈系设成上端面比导体还高、下端面比簇流平板还低。13.一种乾蚀装置,其特征在于包含有:处理室;设置于前述处理室内且用以设置被加工物之试料台;排出前述处理室内气体之排气装置;导入气体于前述处理室内之装置;UHF电源;与前述UHF电源连接之圆盘状天线;使前述天线与处理室分离之分离板;于前述天线之上部具有比天线之径还小的线圈。14.一种乾蚀装置,其特征在于包含有:处理室;设置于前述处理室内且用以设置被加工物之试料台;排出前述处理室内气体之排气装置;导入气体于前述处理室内之装置;UHF电源;与前述UHF电源连接之天线;使前述天线与处理室分离之分离板;从前述天线观之,可形成凸形之ECR面的装置。15.根据申请专利范围第14项之乾蚀装置,其中形成凸形之ECR面的装置系设于前述天线上且内径为255mm以下之螺管线圈。16.一种乾蚀装置,其特征在于包含有:处理室;设置于前述处理室内且用以设置被加工物之试料台;排出前述处理室内气体之排气装置;导入气体于前述处理室内之装置;UHF电源;与前述UHF电源连接之天线;使前述天线与处理室分离之分离板;设于离前述天线之中心部位置的上部且高度为30mm以上之空洞部。17.根据申请专利范围第16项之乾蚀装置,其中前述空洞部上进一步设有比前述天线之径还小的螺管线圈。18.一种乾蚀装置,其特征在于包含有:处理室;设置于前述处理室内且用以设置被加工物之试料台;排出前述处理室内气体之排气装置;导入气体于前述处理室内之装置;UHF电源;与前述UHF电源连接之天线;使前述天线与处理室分离之分离板;设于前述天线之下部外周且比处理室之径还大的内径之螺管线圈。19.一种乾蚀装置,其特征在于包含有:处理室;设置于前述处理室内且用以设置被加工物之试料台;排出前述处理室内气体之排气装置;导入气体于前述处理室内且径为150mm以下之簇流平板;UHF电源;与前述UHF电源连接之天线;使前述天线与处理室分离之分离板。20.根据申请专利范围第19项之乾蚀装置,其中前述试料台与簇流平板之距离为100mm以下。图式简单说明:第一图为本发明之乾蚀刻装置的一例。第二图为微波传输天线(MSA)构造。第三图为TM01振荡型之圆盘状电极3上的电场。第四图为第一图装置的放电安定性的图谱。第五图为离子电流密度之UHF周波数依存性。第六图为第一图之装置中的放射电场强度的分布。第七图为第一图之装置中的放射电场的方向。第八图为第一图之装置中的磁力线及ECR面的例子。第九图为因磁场所引起之离子电流密度面内分布的变化。第十图为具备螺管线圈14之装置中的发散磁场时之磁力线例子。第十一图为螺管线圈之内径与离子电流密度面内分布的均一性关系。第十二图为第十图之装置中的ECR面之例子。第十三图为因磁场所引起之离子电流密度的面内分布变化。第十四图为于接地导体中设有空洞部之乾蚀刻装置的例子。第十五图为第十四图之装置的离子电流密度的面内分布。第十六图为备螺管线圈16之装置的例子。第十七图为下凸磁场的曲率与离子电流密度之面内分布均一性关系。第十八图系用以均一地保持多层膜蚀刻中离子电流面内分布之回馈电路例子。第十九图为金属配线之被蚀刻试料的断面构造。第二十图为蚀刻、光阻研磨除去、及、湿式处理后之金属配线的断面构造。第二十一图为试料一簇流平板间距离与疏图案CD利得的关系。第二十二图系以本发明之装置进行蚀刻的金属配线试料中之闸极破坏状况。第二十三图为CMOS闸极加工步骤之流程。 |
