| 摘要 |
원하는 성능을 발휘할 수 있는 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공한다. 반도체 디바이스 제조 장치(10)의 에칭 모듈(11)에 있어서 웨이퍼(W)의 적층 구조(43)에 플라즈마 에칭을 실시해서 적층 구조(43)에 있어서의 하드 마스크(44)에 의해 덮여 있지 않은 부분을 에칭에 의해 깎고, 플라즈마 에칭이 실시됨으로써 측면이 경사진 필러 구조(49)를 갖는 웨이퍼(W)를 트리밍 모듈(12)에 반입하여, 트리밍 모듈(12)의 처리실(22) 내에 아세트산 가스를 공급하고, 또한 GCIB 조사 장치(26)로부터 필러 구조(49)를 향해서 산소의 GCIB를 조사한다. |
