发明名称 废气吸附处理系统之再生装置及方法
摘要 本发明是指一种废气吸附处理系统之再生装置及方法,其系以下列步骤实施:(a)提供一废气吸附处理系统,该废气吸附处理系统其系将一第一容置空间提供之气体经由一吸附转轮进入一第二容置空间;(b)将一导通道设于该第二容置空间,可提供一液体雾化之至少一喷嘴与可提供适当速度清净气体之一第一进气道连接于该导通道,可提供适当速度清净气体之一第二进气道设于与该第一容置空间,可提供将气体抽离之一抽离机构设于与该第二容置空间相对应适当位置处;(c)导入该雾化液体以及第一进气道之适当速度清净气体进入该导通道通过该吸附转轮;(d)导入第二进气道之适当速度清净气体进入该第一容置空间通过该吸附转轮;(e)以该抽离机构将该第二容置空间以及吸附转轮之气体抽离。
申请公布号 TW505537 申请公布日期 2002.10.11
申请号 TW090133506 申请日期 2001.12.31
申请人 超尊科技有限公司 发明人 张丰堂
分类号 B01D53/34 主分类号 B01D53/34
代理机构 代理人 何文渊 台北市松德路一七一号二楼
主权项 1.一种废气吸附处理系统之再生装置,该废气吸附处理系统其系将一第一容置空间之气体经由一吸附转轮进入一第二容置空间,该废气吸附处理系统之再生装置其系包括有:一导通道,其系设于该第二容置空间之一中空立体结构;至少一喷嘴,该喷嘴其系可与该导通道相连接,可提供将一液体雾化进入该导通道;一第一进气道,其系可与该导通道相连接,该第一进气道可提供清净之气体进入该导通道;一第二进气道,其系设于与该第一容置空间相对应适当位置处,该第二进气道可提供清净之气体进入该第一容置空间;以及一抽离机构,其系设于与该第二容置空间相对应适当位置处,该抽离机构可提供将该第二容置空间之气体抽离。2.如申请专利范围第1项所述之废气吸附处理系统之再生装置,其中该液体雾化系可为水汽、蒸气或溶剂。3.如申请专利范围第1项所述之废气吸附处理系统之再生装置,其中该抽离机构系为一风扇或为一可产生气体流动之机构。4.如申请专利范围第1项所述之废气吸附处理系统之再生装置,其中该液体进入该喷嘴之液量其系以一电磁阀控制。5.如申请专利范围第1项所述之废气吸附处理系统之再生装置,其中该第一进气道其系以适当速度之气流进入该导通道。6.如申请专利范围第1项所述之废气吸附处理系统之再生装置,其中该第二进气道其系以适当速度之气流进入该第一容置空间。7.如申请专利范围第1项所述之废气吸附处理系统之再生装置,其中该第一进气道更设有一第一风门,该第一风门可控制进入该第一进气道之气流量。8.如申请专利范围第1项所述之废气吸附处理系统之再生装置,其中该第二进气道更设有一第二风门,该第二风门可控制进入该第二进气道之气流量。9.一种废气吸附处理系统之再生方法,其系包括有下列步骤:(a)提供一废气吸附处理系统,该废气吸附处理系统其系将一第一容置空间提供之气体经由一吸附转轮进入一第二容置空间;(b)将一导通道设于该第二容置空间,可提供一液体雾化之至少一喷嘴与可提供适当速度清净气体之一第一进气道连接于该导通道,可提供适当速度清净气体之一第二进气道设于与该第一容置空间,可提供将气体抽离之一抽离机构设于与该第二容置空间相对应适当位置处;(c)导入该雾化液体以及第一进气道之适当速度清净气体进入该导通道通过该吸附转轮;(d)导入第二进气道之适当速度清净气体进入该第一容置空间通过该吸附转轮;(e)以该抽离机构将该第二容置空间以及吸附转轮之气体抽离。10.如申请专利范围第9项所述之废气吸附处理系统之再生方法,其中步骤(c)之后更包括有(c1):(c1)该通过该吸附转轮之雾化液体渗附至该吸附转轮。11.如申请专利范围第9项所述之废气吸附处理系统之再生方法,其中步骤(e)之后更包括有(f):(f)加热该吸附转轮,以提供高温活化再生该吸附转轮。图式简单说明:图一系为习用废气吸附处理系统喷洒式再生装置之系统侧视结构示意图。图二系为习用废气吸附处理系统喷洒式再生装置吸附转轮结构示意图。图三系为习用废气吸附处理系统浸泡式再生装置吸附转轮结构示意图。图四系为本发明废气吸附处理系统之再生装置较佳实施例立体结构示意图。图五系为本发明废气吸附处理系统之再生方法较佳实施例流程示意图。
地址 桃园县芦竹乡南荣村桃园街七十三号