| 主权项 |
1.一种半导体装置,包括:一矽基板;一字元线,形成于该矽基板上,该字元线具有以一绝缘膜覆盖的一顶部和一侧面;以及一接触窗插塞,具有一SiGe磊晶层和一Si磊晶层,沈积于该字元线和该矽基板之间。2.一种制造一半导体装置的方法,该方法包括以下的步骤:利用选择性磊晶长成,形成一SiGe磊晶层于一已曝露的矽基板上;以及利用选择性磊晶长成,形成一Si磊晶层于该SiGe磊晶层上。3.一种制造一半导体装置的方法,该方法包括以下的步骤:(a)形成一字元线于一矽基板上,该处已经完成场氧化物的形成;(b)形成一绝缘膜图样和绝缘分隔物于该字元线的侧面;(c)利用选择性磊晶长成,形成一SiGe磊晶层,沈积于在该绝缘分隔物之间的矽基板上已曝露部份;以及(d)利用选择性磊晶长成,形成一Si磊晶层于该SiGe磊晶层上,以形成包含该SiGe磊晶层和该Si磊晶层的接触窗插塞。4.如申请专利范围第3项之方法,在步骤(b)之后和步骤(c)以前进一步包括:(e)形成清除制程以消除在该矽基板上已碳化的一氢气层以及一氧化物膜。5.如申请专利范围第4项之方法,在步骤(e)之后进一步包括:将该矽基板放入一反应器内;以及于一氢气火炉进行一烘烤制程,以消除一自然氧化物膜。6.如申请专利范围第4项之方法,在步骤(e)之后进一步包括:(f)进行氢气烘烤制程。7.如申请专利范围第5项之方法,其中在步骤(c)中该SiGe磊晶层是原地掺杂,而且在步骤(d)中该Si磊晶层是原地掺杂。8.如申请专利范围第5项之方法,在步骤(d)之后进一步包括:(g)以离子射入方式将该Si磊晶层和该SiGe磊晶层掺杂。9.如申请专利范围第5项之方法,进一步包括以下的步骤:(h)形成一中间层绝缘膜于整个结构上;(i)利用选择性地蚀刻该中间层绝缘膜,以曝露接触窗插塞;以及(j)形成接触窗碰到接触窗插塞。10.如申请专利范围第2项之方法,其中利用SiH2Cl2.HCL气体和GeH4制成该SiGe磊晶层,而且利用SiH2Cl2.HCL气体制成该Si磊晶层。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该SiGe磊晶层和该Si磊晶层是利用LPCVD制成的。图式简单说明:图1显示利用传统的选择性磊晶长成来形成接触窗插塞所导致问题之制程截面图;图2A至2C显示根据本发明利用选择性磊晶长成来形成接触窗插塞之制程截面图;及图3A和3B分别提供传统的接触窗插塞和本发明的接触窗插塞之SEM照片。 |
