具有高介电常数顶端介电质的介电储存记忆体单元及其方法

摘要

一种非挥发性记忆体(NVM)单元(22)其使用一储存介电质(16)做为该储存元素，具有一顶端介电质(18，24)介于一闸极(30)和该储存介电质(16)；和一底端介电质(14)介于一半导体基材和该储存介电质间。该顶端介电质包括一相对厚的(18)高k介电质层和一界面层(24)。该界面层(24)非常薄且具有一高于氧化矽的k。由于其界面和穿隧特质，该底端介电质层(14)偏好为氧化矽。因而该单元(22)能从一钝化良好的高k顶端介电质(18，24)结合一氧化矽的底端介电质(14)中获益。