| 主权项 |
1.一种测量玻璃基板与驱动IC导通率之方法,其步骤包括:a.提供一玻璃基板,该玻璃基板包括复数个电极以及至少一测试电极;b.提供一驱动IC,该驱动IC包括复数凸块与至少一测试凸块,其中上述凸块与上述电极之间系互相对应;c.将该玻璃基板与该驱动IC互相结合,并使得上述电极分别与上述凸块形成导通;及d.藉由测量该测试电极与该测试凸块之间的导通阻抗,以判断该玻璃基板与该驱动IC之间的导通率。2.如申请专利范围第1项所述之测量玻璃基板与驱动IC导通率之方法,其中该玻璃基板与该驱动IC之间系利用一异向导电膜(ACF)互相结合。3.如申请专利范围第1项所述之测量玻璃基板与驱动IC导通率之方法,其中该玻璃基板系包括三个独立之测试电极,而该驱动IC系包括三个串联之测试凸块,上述测试电极系形成四个量测点,并以四点量测方式测量该测试电极与该测试凸块之间的导通阻抗,以判断该玻璃基板与该驱动IC在结合后,各电极与凸块之间的导通率。4.如申请专利范围第1项所述之测量玻璃基板与驱动IC导通率之方法,其中该玻璃基板系包括三个独立之测试电极,而该驱动IC系包括三个独立之测试凸块,其系藉由测量相邻测试电极彼此之间的绝缘阻抗,以判断该玻璃基板与该驱动IC在结合后,各相邻电极(或凸块)之间的阻隔率。5.一种测量玻璃基板与驱动IC导通率之结构,其包括:一玻璃基板,其包括复数个电极;一驱动IC,其包括复数个凸块,其中该驱动IC与该玻璃基板系互相接合,同时上述凸块与上述电极互相对应且形成导通;其特征在于:该玻璃基板更包括至少一测试电极,而该驱动IC更包括至少一测试凸块与该测试电极互相对应且形成导通,其藉由测量该测试电极与该测试凸块之间的导通阻抗,以判断该玻璃基板与该驱动IC之间的导通率。6.如申请专利范围第5项所述之测量玻璃基板与驱动IC导通率之结构,其中该玻璃基板与该驱动IC之间系利用一异向导电膜(ACF)互相结合。7.如申请专利范围第5项所述之测量玻璃基板与驱动IC导通率之结构,其中该玻璃基板系包括三个独立之测试电极,而该驱动IC系包括三个串联之测试凸块,上述测试电极系形成四个量测点,并以四点量测方式测量该测试电极与该测试凸块之间的导通阻抗,以判断该玻璃基板与该驱动IC在结合后,各电极与凸块之间的导通率。8.如申请专利范围第5项所述之测量玻璃基板与驱动IC导通率之结构,其中该玻璃基板系包括三个独立之测试电极,而该驱动IC系包括三个独立之测试凸块,其系藉由测量相邻测试电极彼此之间的绝缘阻抗,以判断该玻璃基板与该驱动IC在结合后,各相邻电极(或凸块)之间的阻隔率。图式简单说明:图一A系为习知技术在玻璃基板上植晶片之封装结构图;图一B系为习知技术在玻璃基板上植晶片之封装侧视图;图二A系为习知技术之配置在驱动IC表面之凸块示意图;图二B系为习知技术之玻璃基板之电极与驱动IC之凸块压合侧视图;图三系为本发明之玻璃基板周围之电极示意图;图四系为本发明利用四点量测方式,量测玻璃基板与驱动IC之间导通率之实施例图;图五系为本发明测试玻璃基板与驱动IC隔绝效果之实施例图。 |
