混成晶向上之应变矽互补式金氧半导体

摘要

提供形成应变含矽混成基材的方法，以及藉由此方法形成之应变含矽混成基材。于本发明方法中，一应变矽层形成于一再成长半导体材料上方、一第二半导体层上方，或两者上方。依据本发明，应变矽层具有与再成长半导体层或第二半导体层相同的晶体方向。本方法提供一混成基材，其中至少一装置层包含应变矽。