用于含铜导体的保护罩

摘要

制造太阳能电池的方法包括如下步骤：（a）在气相沉积装置的沉积室中提供半导体衬底，所述半导体衬底包括在其第一侧的钝化层，所述钝化层图形化以限定含铜导体所存在的接触区域；（b）向沉积室供应气态硅种，导致在含铜导体的表面上形成铜硅化物表面层并且在钝化层的顶部上形成非晶硅；以及（c）在表面层提供绝缘硅化合物保护层，其中所述保护罩包括表面层和保护层。

主权项

一种制造包括含铜导体的太阳能电池的方法，所述含铜导体上覆盖有位于半导体衬底上的保护罩，所述方法包括如下步骤：在气相沉积装置的沉积室中提供半导体衬底，所述半导体衬底包括在其第一侧的钝化层，所述钝化层被图形化，以限定含铜导体所存在的接触区域；向沉积室供应气态硅种，使得在含铜导体的表面上形成铜硅化物的表面层并在钝化层的顶部上形成非晶硅；以及在所述表面层上提供绝缘硅化合物保护层，其中所述保护罩包括所述表面层和所述保护层。