发明名称 MIS TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY CELL
摘要 PURPOSE:To prevent the loss of memory varnishment with refresj operation, by connecting Pn junction formed on the silicone film of poly crystal so that it can be back bias between the power supply voltage and the memory MISFET.
申请公布号 JPS5267531(A) 申请公布日期 1977.06.04
申请号 JP19750142983 申请日期 1975.12.03
申请人 HITACHI LTD 发明人 SHIMIZU SHINJI
分类号 G11C11/412 主分类号 G11C11/412
代理机构 代理人
主权项
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