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发明名称
MIS TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY CELL
摘要
PURPOSE:To prevent the loss of memory varnishment with refresj operation, by connecting Pn junction formed on the silicone film of poly crystal so that it can be back bias between the power supply voltage and the memory MISFET.
申请公布号
JPS5267531(A)
申请公布日期
1977.06.04
申请号
JP19750142983
申请日期
1975.12.03
申请人
HITACHI LTD
发明人
SHIMIZU SHINJI
分类号
G11C11/412
主分类号
G11C11/412
代理机构
代理人
主权项
地址
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