Insulated gate field effect transistor.

摘要

Der Metalloxid-Silicium-Feldeffekttransistor weist im Kanalbereich eine vergrabene Isolierschicht (10) auf, die mit dem gleichen Dotierungsstoff dotiert ist, wie Sourceund Drain-Zone, so dass die Verarmungsschichten der an der Ober- bzw. Untergrenze der Isolierschicht (10) gebildeten P-N-Übergänge (11, 13) sich in der Mitte der implantierten Isolierschicht (10) einander nähern, und so tatsächlich eine Isolierschicht zwischen Source und Drain darstellen. Die Anwesenheit dieser Schicht erhöht den Abstand zwischen den spiegelbildlich induzierten elektrostatischen Ladungen in der Gate-Elektrode und der Masse des Substrats unterhalb des MOSFETs, wodurch die Empfindlichkeit der Schwellwertspannung des Feldeffekttransistors für Veränderungen der Source-Substrat-Spannung herabgesetzt wird.