| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE LES SEMICONDUCTEURS DE TYPE TRANSISTORS, DONT L'EPAISSEUR DE BASE EST PLUS COURTE QUE LE LIBRE PARCOURS MOYEN DES ELECTRONS DANS LE MATERIAU SEMICONDUCTEUR.</P><P>LES TRANSISTORS, SELON L'INVENTION, ONT UNE STRUCTURE VERTICALE ET FONCTIONNENT EN REGIME BALISTIQUE. ILS COMPORTENT, ENTRE LA COUCHE N 1 DE L'EMETTEUR ET LA COUCHE N 3 DE BASE UNE COUCHE SUPPLEMENTAIRE DE HAUTE RESISTIVITE 2 OU 4 FORMANT UNE HETEROJONCTION DE SORTE QUE LE TRANSFERT ELECTRONIQUE SOIT EN REGIME D'ELECTRONS CHAUDS, PAR EFFET TUNNEL (COUCHE2) OU PAR EFFET THERMOIONIQUE (COUCHE 4) OU LES DEUX EFFETS COMBINES. SELON UNE VARIANTE, LES TRANSISTORS SELON L'INVENTION COMPORTENT EN OUTRE, ENTRE COLLECTEUR ET BASE, UNE AUTRE COUCHE SUPPLEMENTAIRE DE HAUTE RESISTIVITE 5 FORMANT UNE DEUXIEME HETEROJONCTION.</P><P>APPLICATION AUX TRANSISTORS HYPERFREQUENCES.</P>
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