| 主权项 |
1.制造一多个相当密集之金属氧化物半导体场效应电晶体于一基体上之方法,其创新事项包括:于上述基体表面形成一具有多个垂直壁孔隙之场氧化物,及于每一孔隙内形成一金属氧化物半导体场效应电晶体。2.根据上述请求专利部份第1.项之方法,其中包括:于上述基体表面形成一层二氧化矽;及以各向异性力式蚀除二氧化矽层之部份似形成场氧化物。3.根据上述请求专利部份第1.项之方法,包括:于每一孔隙内以有选择性之晶膜法生长一单晶半导体区域。4.根据上述请求专利部份第3.项之力法,其中:上述单晶区域为矽及实质上系与场氧化物大致同平。5.根据上述请求专利部份第1.项之方法,后包括:提供一相当加重掺杂之基体以减低其中电荷载体寿命。6.根据上述请求专利部份第1.项之方法,后包括:提供一包含氧沉淀物之基体。7.根据上述请求专利部份第5.项之方法,后包括:提供一包含氧沉淀物之基体。 |
