| 主权项 |
1.一种制造双极电晶体之方法,包括下述步骤:在淀积于半导体基材中之基极区域之未经氧化的表面上形成多结晶矽射极台地;将多结晶矽射极台地之侧壁与基极区域之露出的未经氧化的表面加以氧化;以及使用该多结晶矽射极台地之至少一个经氧化的侧壁当做植入罩,而将基极接触区域植入基材内与基极区域形成接触,藉此,使基极接触区域与射极自动对正。2.如请求专利部份第1.项所述之方法,其中该基极区城系经由一光罩层中之窗孔透过淀积于其上之氧化物层予以植入该基材内,而且其中由该窗孔露出之氧化物层于后来被移除。3.如请求专利部份第2.项所述之方法,其中该台地系由一层多结晶矽予以形成,此一层多结晶矽系在由该窗孔露出之氧化物层被移除之后被淀积于于该基材上。4.如请求专利部份第3.项所述之方法,其中该台地之形成步骤包括将该结晶矽层加以适当之光罩并加以乾蚀刻处理。5.如请求专利部份第3.项或第4.项所述之方法,进一步包含下述步骤:由该层多结晶矽形成至少一个多结晶矽接触对正台地此对正台地被淀积于氧化物层上而且此对正台地之侧壁在该氧化步骤期间被氧化;以及使用该对正台地之至少一个经氧化的侧壁当做植入罩而将集极接触区域植入基材内,藉此,使射极与集极接触之间之间隔由该对正台地予以限定。6.一种制造双极电晶体之方法,实质上如说明书参照图1至6而且参照图7或不参照图7所述者。7.一种双极电晶体,根据前述请求专利部份任何一项所述者。8.一种双极电晶体包含与基极区域形成接触之多结晶矽射极台地而且包含基极接触,射极具有经氧化之侧壁,当电晶体之制造过程中,此射极之经氧化的侧壁供用于基极接触之自动对正。9.如请求专利部份第8.项所述之双极电晶体,其中该射极被淀积于基极区域之表面之实质上中央位置,而且含有两个基极接触区域淀积于该射极之对向两侧,而且分别利用该射极之经氧化的侧壁而与该射极相对正。10.如请求专利部份第8.项或第9.项所述之双极电晶体,其中该基极区域被淀积于基材之表面区域中而且含有设于该基材中之集极接触。11.如请求专利部份第10.项所述之双极电晶体,进一步含有多结晶矽对正台地,此多结晶矽对正台地与该射极台地保持间隔,而且限定该射极与该集极接触之间之距离。12.一种双极电晶体,实质上如说明书参照附图1至6,而且参照附图7.或不参照附图7.所述者。 |
