发明名称 |
盆栽菊的培植方法 |
摘要 |
本发明涉及一种盆栽菊的培植方法,包括如下步骤,种苗育陪、株型控制、花期控制,在引进国外新品种种苗、先进生产技术的基础上,提高扦插成活率,种苗成活率达到98%,大大提高种苗生产量。通过温度调控、光照调控、水肥调控,使冠幅、株高得到控制,成品率达到95%以上;通过对植株进行遮黑处理和加光处理,促使花期提前和推迟,控制开花时间,打破了盆栽菊自然开花的生长规律,使盆栽菊达到周年开花上市,提高温室利用率,提高产量和效益。 |
申请公布号 |
CN106171410A |
申请公布日期 |
2016.12.07 |
申请号 |
CN201610543957.X |
申请日期 |
2016.07.12 |
申请人 |
常州春海园艺有限公司 |
发明人 |
柴洪文 |
分类号 |
A01G1/00(2006.01)I;A01G7/06(2006.01)I;A01G7/04(2006.01)I |
主分类号 |
A01G1/00(2006.01)I |
代理机构 |
常州市维益专利事务所(普通合伙) 32211 |
代理人 |
肖兴江 |
主权项 |
盆栽菊的培植方法,其特征在于,该培植方法包括如下步骤,步骤一,种苗育陪(1)、采用穴盘扦插,保证盆栽菊的整齐一致,扦插采用72穴盘;(2)、通过全自动喷雾设施将湿度控制在90%以上,使扦插成活率达到98%;步骤二,株型控制(1)、盆栽菊花采用B9进行株高控制,摘心后约10天,当植株长至15cm时及时施用B9,喷施部位为植株顶部,根据品种特性和植株高度,施肥2‑3次,间隔3天施1次;(2)、通过加温或降温方式,使温度控制在16‑25℃,创造盆栽菊生长适宜温度;(3)、通过利用内外遮阳网对盆栽菊光照强度进行控制,控制株型,防徒长;(4)、采用DOSATRON型配肥泵和水溶性肥料进行浇灌,根据生育期的不同时间调整施肥量和植物生长所需的氮、磷、钾、钙、镁元素的比例;步骤三,花期控制(1)通过遮黑处理,模拟太阳落山,增加夜长时间,促成栽培,使盆栽菊提前开花,每日须14小时的暗期,即每日下午6点起直到第二天8点止,进行黑暗处理,直至开花为止,夜温高于21℃时,暗期进行延长;(2)、通过加光处理,抑制栽培,推迟盆栽菊花期,通过加光中断长夜,以达到中断花芽分化;加光启动和关闭时在日落后和日出前3小时,夏天一般从22:30‑04:30,冬天一般从21:30‑04:30;采用用100W的高压钠灯,每隔2—3m一盏灯,高度苗床上1.5米;补光强度最低要求为200Lux。 |
地址 |
213000 江苏省常州市新北区春江镇灵桥村邓家村 |