| 摘要 |
저항 랜덤 액세스 메모리가 제공되어 있다. 상기 저항 메모리 셀은 기판, 상기 기판상의 트랜지스터, 상기 기판상의 하부 전극으로서, 상기 트랜지스터의 소스/드레인에 전기적으로 접속된 하부 전극, 상기 하부 전극 상의 여러 개의 상부 전극, 상기 상부 및 하부 전극 사이의 여러 개의 저항 스위칭 층, 및 상기 저항 스위칭 층 및 상기 상부 전극들 사이의 여러 개의 전류 제한 층을 포함한다. 상기 셀은 한 트랜지스터 위치에서 여러 도전성 필라멘트를 생성함으로써 고온 환경에서 전류에 의한 1/0의 신호를 인식하는데 있어서의 어려움을 개선하고 상기 기판상의 면적을 절감할 수 있게 된다. |
