| 主权项 |
1. 一种改进P-N接面二极体之反向偏压特性之二极体制造方法,包括下列步骤:沉积及硬化一蚀刻速率大于一形成于一N型基板上之一氧化层之蚀刻速率的隔离层于该氧化层之上,然后藉由于蚀刻机中挖掘该上方具有该氧化层之该沉积的隔离层而锥蚀刻该氧化层;藉由布植与该基板之电性相反之杂质至该基板之由该锥蚀刻所形成之一窗口内,藉此于该基板之一侧面方向中扩散该杂质以便于该基板中形成一低浓度区域;预沉积与植入该低浓度扩散区域之杂质同电性之高浓度杂质,并使该低浓度扩散区域及该预沉积区域一起退火,以便于该低浓度扩散区域与该预沉积区域之间形成欧姆接触;以及分别形成一金属于该基板下方与该预沉积区域之上。2. 如申请专利范围第1项之方法,其中该沉积及锥蚀刻步骤包括下列步骤:形成厚度为1-2um之该氧化层于具有10-20cm之特定电阻之该基板之上;蒸镀一旋转玻璃(spin-on glass)于该被形成之氧化层上做为具有高蚀刻速率之一隔离层,藉由以大约2500rpm的速度旋转该被蒸镀之氧化层25分钟以便硬化该被蒸镀之氧化层,并另外于高温下硬化该被硬化之氧化层;以及于一蚀刻机中挖掘该另外硬化的氧化层,藉此锥蚀刻该另外硬化的氧化层。3. 如申请专利范围第1项之方法,其中该杂质之布植能量大约为180Kev,且该杂质浓度大约为1x10@su1@su2cm@su-@su2,因此该布植平均深度为0.5um。4. 如申请专利范围第1项之方法,其中该退火步骤系于一湿大气中在1050℃的温度下进行40分钟。5. 如申请专利范围第1项之方法,其中形成于该预沉积区域上之该金属平面具有延伸至该氧化层之一外部的场平面结构。6. 如申请专利范围第1或5项之方法,其中该金属平面具一由大约30um的铝所组成的长度。7. 一种改进崩溃电压之二极体制造方法,包括下列步骤:沉积及硬化高蚀刻速率的隔离层于一形成于一N型基板上之一氧化层之上,并锥蚀刻该氧化层;布植一P型杂质至该被锥蚀刻之氧化层内,藉此于该基板内形成一低浓度扩散区域;以及预沉积该高浓度杂质至该被形成之低浓度扩散区域内,以便形成具有从该氧化层底部起为P@su+-P@su--N规则之该二极体结构。图示简单说明:第一图:表示本发明自动对齐之双扩散P-N接面之流程图。第二图:表示本发明之一侧面低掺杂区域延伸长度做为布植能量及锥氧化层角度之函数的示意图。第三图:表示本发明模拟的二维硼杂质之曲线。第四图:表示本发明模拟的一维硼杂质之曲线。第五图:表示当5@bs3SiO2锥状罩幕被使用时,其场平面非为布植浓度之函数之P@su+-P@su--N二极体的崩溃电压示意图。第六图:表示场平面为经由5@bs3锥蚀刻之SiO2罩幕布植之不同浓度的氧化层厚度及场平面长度之函数的P@su+- |
