| 主权项 |
1.一种TFT-LCD包括:一闸线,以一方向形成于一绝缘基片上;一半导体层图案,垒置于该闸线上,该半导体层图案之一端由上至下突出于该闸线两侧,该半导体层图案之另端以一方向突出于该闸线一侧的顶部;一资料线,形成为与该闸线正交并被叠置于该半导体层图案内突出于该闸线两侧之一部位;及一像素电极,与突出该半导体层图案之端部的另一部位接触。2.如申请专利范围第1项所述之TFT-LCD,其中该像素电极系由ITO、SnO2.或In2 O3-ZnO形成。3.如申请专利范围第1项所述之TFT-LCD,更包括一补偿区,设于该半导体层图案之另端与该闸线接触之一突出部位。4.如申请专利范围第1项所述之TFT-LCD,更包括一LDD区,设于该半导体层图案之另端与该闸线接触之一突出部位。5.一种制造一TFT-LCD之方法包括步骤:于一绝缘层上形成一闸线;于该基片之整个表面上形成一闸极绝缘层;形成一叠置于该闸线上之半导体层图案,该半导体层图案之一端由上至下突出于该闸线两侧,该半导体层图案之另端以一方向突出于该闸线一侧之顶部;于该半导体层图案内该半导体层图案未被叠置于该闸线之处形成一重度掺杂区;于该半导体层图案之上形成一绝缘层;去除设于该重度掺杂区上之该绝缘层之一部分,以形成源极与汲极接触孔;及形成与该重度掺杂区相接触之一资料线,该资料线与该闸线相交。6.如申请专利范围第5项所述之制造一TFT-LCD之方法,其中该重度掺杂区内与一像素电极相接触之一部分包括一与该闸线相距一预定距离之补偿区。7.如申请专利范围第5项所述之制造一TFT-LCD之方法,更包括于该半导体之另端与该闸线相接触之突出部位形成一轻微掺杂区之步骤。8.如申请专利范围第7项所述之制造一TFT-LCD之方法,其中该轻微掺杂区系一光阻图案系以使用该闸线透过背侧曝露而形成,然后使用该光阻图案作为一离子植入光罩而离子植入一掺杂物的方式形成。9.如申请专利范围第5项所述之制造一TFT-LCD之方法,更包括于形成该闸线之步骤之前形成一与该半导体层图案相接触之像素电极,及透过一分离过程形成一源极之步骤。10.如申请专利范围第5项所述之制造一TFT-LCD之方法,更包括于形成该等源极与汲极接触孔之步骤之后,形成与该半导体层图案相接触之一像素电极,且其后形成该源极之步骤。图式简单说明:第一图系为一种传统式TFT-LCD的设计图;第二图系为另一种传统式TFT-LCD的设计图;第三图系为依据本发明之第一实施例的一种TFT-LCD的设计图;第四图系为一第三图所截取之I-I线部分的剖视图;第五图A至第五图D系为剖视图,显示制造依据本发明之第一实施例之TFT-LCD的过程;第六图A、第六图B与第六图C系为平面图,显示制造依据本发明之第二实施例之TFT-LCD的过程;及第七图A与第七图B为平面图,显示制造依据本发明之第三实施例之TFT-LCD的过程。 |
