| 主权项 |
1.一种半导体装置,包括:(a)一导电基底;(b)一绝缘层;(c)一掺有杂质的矽层,用以形成一电晶体;以及(d)一导电螺柱,该导电螺柱可与前述的矽层和基底通电。2.如申请专利范围第1项之装置,其中的基底包含掺杂矽。3.如申请专利范围第1项之装置,其中的绝缘层包含一矽的氧化物。4.如申请专利范围第1项之装置,其中的电晶体包含一电晶体主体,其中的螺柱与前述的电晶体主体相邻。5.如申请专利范围第1项之装置,其中的电晶体包含一电晶体主体,其中的螺柱和前述的电晶体主体可通电。6.如申请专利范围第4项或第5项之装置,其中的螺柱包含钨。7.如申请专利范围第1项之装置,其中的基底包含一接地。8.如申请专利范围第1项之装置,其中的基底包含一电源。9.如申请专利范围第1项之装置,尚包含一电介质层,在前述的掺杂矽层上形成。10.如申请专利范围第9项之装置,其中的电介质层保留了一部份让前述的螺柱曝光。11.如申请专利范围第1项或第5项之装置,其中矽层中的杂质不会与前述的绝缘层相接通。12.如申请专利范围第2项之装置,其中所述的基底掺杂有一N型的掺杂剂,该掺杂剂系选自由含磷、锑、砷和其混合物所组成之群组,其中所述的电晶体包含一P通道,以及所述的导电螺柱与该基底和电晶体相接通。13.如申请专利范围第2项之装置,其中所述的基底掺杂有一N型的掺杂剂,该掺杂剂包含硼,其中所述的电晶体包含一N通道,而所述的导电螺柱与该基底和电晶体相接通。14.如申请专利范围第2项之装置,其中所述的基底掺杂有一P型的掺杂剂,该掺杂剂包含硼,其中所述的电晶体包含一P通道,所述的导电螺柱与该基底和电晶体相接通。15.如申请专利范围第2项之装置,其中所述的基底掺杂有一N型的掺杂剂,该掺杂剂系选自由antiprouy、砷、磷和其混合物所组成之群组,其中所述的电晶体包含一N通道,以及所述的导电螺柱与该基底和电晶体相接通。16.一种半导体装置,包括:(a)一导电基底;(b)一绝缘层;(c)一掺有杂质的矽层,可形成一第一电晶体和一第二电晶体;(d)一绝缘体,介于前述的第一电晶体和第二电晶体之间;以及(e)一导电螺柱,自前述的掺杂矽层延伸至前述的基底。17.如申请专利范围第16项之装置,其中的基底包括掺杂矽。18.如申请专利范围第16项之装置,其中的绝缘层包含二氧化矽。19.如申请专利范围第16项之装置,其中的第一电晶体包含一电晶体主体而前述的导电螺柱与该电晶体主体相邻。20.如申请专利范围第16项之装置,其中的第一电晶体包含一电晶体主体而前述的螺柱和该电晶体主体可通电。21.如申请专利范围第19项或第20项之装置,其中的螺柱包含钨。22.如申请专利范围第16项之装置,尚包括一电介质层,在前述的掺杂矽层上形成。23.如申请专利范围第20项之装置,其中的电介质保留了一部份让前述的螺柱曝光。24.如申请专利范围第16或20项之装置,其中形成前述第一电晶体的矽层之杂质不会与前述的绝缘层相接触。25.如申请专利范围第16项之装置,其中的导电基底包含一接地,前述的第一电晶体包含一P型场效应电晶体和前述的第二电晶体包含一N型场效应电晶体,其中该P型场效应电晶体和N型场效应电晶体由一矽氧化物绝缘体所分隔开,而且前述的导电螺柱使该N型场效应电晶体来源与该接地可通电。26.如申请专利范围第16项之装置,其中的导电基底包含一电源,前述的第一电晶体包含一P型场效应电晶体和前述的第二电晶体包含一N型场效应电晶体,其中该P型场效应电晶体和N型场效应电晶体由一矽氧化物绝缘体所分隔开,而且前述的导电螺柱使该P型场效应电晶体来源与该电源可通电。27.如申请专利范围第16项之装置,包括一第一导电螺柱和一第二导电螺柱,其中前述的第一电晶体可藉由该第一导电螺柱与前述的基底通电,前述的第二电晶体可藉由该第二导电螺柱与前述的基底通电。图式简单说明:第一图为本发明形成绝缘体外延物装置第一个阶段的横切面。第二图至第六图为形成绝缘体外延物装置如第一图所示之接下来的几个阶段的横切面。第七图A如本发明第一图至第六图所述,采用绝缘体外延物处理方式而形成半导体装置的横切面。第七图B如本发明第一图至第六图所述,采用绝缘体外延物处理方式而形成半导体装置之替代性设计的横切面。第八图A如本发明的设计所述,为半导体装置的横切面,包括一导电螺柱。第八图B如本发明的替代性设计所述,为半导体装置的横切面,包括一导电螺柱。第九图如本发明更深入的替代性设计所述,为半导体装置的横切面,包括一导电螺柱。 |
