| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含:晶片,其系有第一电极形成于其一表面上;基板,其系有第二电极形成于其一表面上;以及用以建立该第一电极与该第二电极之电气连接的TAB(自动接合带)带,上述晶片之表面与上述基板之表面为面对面之关系,上述TAB带只设置于上述晶片之表面与上述基板之表面之间。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,进一步包括:连接于该晶片,且具有良好散热性材料制成之散热器。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,进一步包括:形成于该基板背面,非紧接于该第二电极与该TAB带之连接点下方的位置之外接电极,该外接电极系电气连接于该第二电极。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,进一步包括:使该TAB带产生微带线功能的接地元件。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,进一步包括:形成于该基板内并连接该第二电极之信号线;以及使该第二电极与信号线产生微带线功能之接地元。6.如申请专利范围第1项之半导体装置,进一步包括:形成于该基板内并连接该第二电极之信号线;以及使该第二电极与信号线产生共面带线功能之接地元件。7.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中该元件系包含于该TAB带中。8.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中该元件系形成于上述基板之该表面。9.如申请专利范围第1项之半导体装置,进一步包括:形成于该基板并连接该第二电极之信号线;以及使该第二电极与该信号线产生微带线或共面带线功能的接地元件,该元件系设置于该TAB带与该信号线之间。10.如申请专利范围第1项之半导体装置,进一步包括:形成于该晶片下之该基板表面中,并自该基板表面挖蚀之凹室;第三电极系形成于该凹室内;以及第四电极系形成于该晶片表面,该第三电极系与该第四电极电气连接。11.如申请专利范围第1项之半导体装置,进一步包括:形成于该晶片下之基板表面上之第三电极;形成于该晶片表面之第四电极;以及建立该第一电极与该第三电极之电气连接的导电树脂。12.如申请专利范围第1项之半导体装置,进一步包括:形成于该晶片下之基板表面上之第三电极,该TAB带建立该第一电极与该第三电极之间之电气连接。13.如申请专利范围第12项之半导体装置,其中该第一电极包含形成于该晶片内之电极与形成于该晶片外之电极,其中该第二电极系形成于该基板表面而非其晶片下之位置,该形成于该晶片外之电极与该第二电极之间系以该TAB带互相电气连接,形成于该晶片内之电极与第三电极之间系以该TAB带互相电气连接。14.如申请专利范围第1项之半导体装置,进一步包括:仅与该晶片与TAB带接触以固定该晶片与TAB带之树脂。15.如申请专利范围第1项之半导体装置,进一步包括:自该晶片下之基板表面延伸至其背面的贯穿口;以及形成于该基板与该晶片之间的树脂。16.一种半导体装置,包括:基板,该基板具有自表面延伸至其背面之贯穿口;以及置于该贯穿口之内之晶片,该晶片系在该半导体装置置放于系统时,与置放该半导体装置于其中之系统接触。7.如申请专利范围第16项之半导体装置,进一步包括:一元件,系以热导材料制成,并形成在该系统具有最高温度处之该晶片与该系统之至少一接触表面部份上,该元件系与该系统接触。18.一种制造半导体装置之方法,包括下列步骤:提供具有电极之晶片;设一TAB带以连接该电极至该TAB带;以及形成与该晶片与该TAB带接触之树脂。19.一种制体半导体装置之方法,包括下列步骤:提供具有电极之晶片;设一基板,该基板具有自表面延伸至其背面之贯穿口,以该基板与该晶片之间形成空间而连接该晶片与该基板;以及由外面经由该贯穿口射入树脂进入该空间,以保护该半导体装置。20.一种制造半导体装置之方法,包括下列步骤:提供具有电极之晶片;设一基板,系具有自表面延伸至其背面之贯穿口,以该基板与该晶片之间形成空间而连接该晶片与该基板;以及当经由该贯穿口将空间排出空气时,在该空间形成树脂,以保护在该基板上之该半导体装置。图式简单说明:第一图系例示一根据本发明之一第一较佳实施例之半导体装置;第二图至第五图系例示一根据本发明之该第一较佳实施例之半导体装置的制造方法;第六图系例示一根据本发明之一第二较佳实施例之半导体装置的一种型式;第七图系例示一根据本发明之该第二较佳实施例之半导体装置的另一种型式;第八图系例示一根据本发明之该第二较佳实施例之半导体装置的又一种型式;第九图系例示一根据本发明之一该第三较佳实施例之半导体装置的底视图;第十图系例示一根据本发明之一第四较佳实施例之半导体装置;第十一图系例示一根据本发明之一第五较佳实施例之半导体装置;第十二图系例示一根据本发明之一第六较佳实施例之半导体装置;第十三图为一根据本发明之该第六较佳实施例之半导体装置的顶视图;第十四图系例示一根据本发明之一第七较佳实施例之半导体装置;第十五图系例示一根据本发明之一第八较佳实施例之半导体装置;第十六图系例示一根据本发明之一第九较佳实施例之半导体装置;第十七图系例示一根据本发明之一第十较佳实施例之半导体装置;第十八图为一根据本发明之该第十较佳实施例之半导体装置的顶视图;第十九图系例示一根据本发明之一第十一较佳实施例之半导体装置;第二十图为一根据本发明之该第十一较佳实施例之半导体装置的顶视图;第二十一图系例示一根据本发明之一第十二较佳实施例之半导体装置;第二十二图系例示一根据本发明之该第十二较佳实施例之半导体装置的另一种型式;第二十三图至第二十六图系例示根据本发明之该第十二较佳实施之半导体装置的制造方法;第二十七图系例示一根据本发明之该第十二较佳实施例之半导体装置;第二十八图系例示一根据本发明之一第十三较佳实施例之半导体装置;第二十九图至第三十一图系例示根据本发明之第十三较佳实施例之半导体装置的制造方法;第三十二图系例示一根据本发明之一第十四较佳实施例之半导体装置;第三十三图系例示一根据本发明之该第十四较佳实施例之半导体装置的制造方法;第三十四图系例示一根据本发明之一第十五较佳实施例之半导体装置;第三十五图系例示一传统半导体装置;第三十六图系例示一传统半导体装置;第三十七图系例示一使用插接帽(cap)之半导体装置;第三十八图系例示一弯曲之TAB带;以及第三十九图系例示在一密封树脂8之气泡。 |
