| 摘要 |
<p>La présente invention concerne une section de formation de couche luminescente (10), laquelle couche luminescente est formée par le dépôt successif d'une couche 3 de type n réalisée dans un semiconducteur d'un composé de nitrure de gallium et d'une couche 5 de type p sur un substrat (1). Au moins une couche de la section (10) est réalisée dans un semiconducteur d'un composé de nitrure de gallium renfermant de l'oxygène. Lorsqu'une couche intermédiaire (2) dans un semiconducteur d'un composé de nitrure de gallium ou de nitrure d'aluminium est placée entre le substrat (1) et la section (10), la couche intermédiaire (2) et/ou au moins une couche de la section (10) peut comprendre de l'oxygène. Lorsqu'un élément luminescent est formé de la façon précitée, le cristal de la couche semiconductrice de la section (10) présente peu de défauts, il est doté d'une luminance améliorée, et l'on obtient un élément luminescent à semiconducteur bleu à luminance élevée.</p> |
