| 主权项 |
1.一种于一半导基材上形成一壕沟隔绝之方法,包含下列步骤:于该基材内形成一壕沟;以第一层矽将该壕沟部份充填;将该第一层矽氧化;以至少一第二层矽将该壕沟部份充填;以及使该第二层矽氧化。2.根据申请专利范围第1项之方法,进一步包含在以该层矽充填该壕沟之前,先于该壕沟内形成一层氮化物。3.根据申请专利范围第1项之方法,进一步包含下列步骤:于形成该壕沟之前,于该基材上形成一垫状氧化物层;于该垫状氧化物层上形成一氮化矽层;于该氮化矽层上形成一已图案化之遮蔽层;以及蚀刻该氮化矽层、该垫状氧化物层,以及该基材,以形成该壕沟。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中该壕沟具有一预定之宽度及一预定之深度。5.根据申请专利范围第4项之方法,其中该深度对该宽度之比値系大于2。6.根据申请专利范围第4项之方法,其中该第一层矽系大约该壕沟之该深度之三分之一。7.根据申请专利范围第4项之方法,其中该第二层矽系大约该壕沟之该深度之三分之一。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中该第一层矽系包含非晶质或多晶矽。9.根据申请专利范围第1项之方法,其中该第二层矽系包含非晶质或多晶矽。10.一种制造一半导体装置之方法,包含下列步骤:提供一矽基材;于该基材内形成一壕沟;以第一层矽将该壕沟部分充填;将该第一层矽氧化;以至少一第二层矽将该壕沟部分充填;以及使该第二层矽氧化。11.根据申请专利范围第10项之方法,更进一步包含在以该类矽层充填该壕沟之前,先于该壕沟内形成一氮化物层。12.根据申请专利范围第10项之方法,进一步包括下列步骤:于形成该壕沟之前,先于该基材上形成一垫状氧化物层;于该垫状氧化物层上形成一氮化矽层;于该氮化矽层上形成一已图案化之遮蔽层;以及蚀刻该氮化矽层、该垫状氧化物层,以及该基材,以形成该壕沟。13.根据申请专利范围第10项之方法,其中该壕沟具有一预定之宽度及一预定之深度。14.根据申请专利范围第13项之方法,其中该深度对该宽度之比値系大于2。15.根据申请专利范围第13项之方法,其中该第一层矽系大约该壕沟之该深度之三分之一。16.根据申请专利范围第13项之方法,其中该第二层矽系大约该壕沟之该深度之三分之一。17.根据申请专利范围第10项之方法,其中该第一层矽系包含非晶质或多晶矽。18.根据申请专利范围第10项之方法,其中该第二层矽系包含非晶质或多晶矽。19.一种于一具一壕沟之半导体基材上形成一壕沟之方法,包含下列步骤:以多层矽充填该壕沟;以及使每层矽氧化,系于以下一层矽充填该壕沟之前,或于以上一层矽充填该壕沟之后。20.根据申请专利范围第19项之方法,进一步包含于以该类矽层充填该壕沟之前先于该壕沟内形成一氮化物层之步骤。21.根据申请专利范围第19项之方法,其中该壕沟具有一预定之宽度及一预定之深度。22.根据申请专利范围第21项之方法,其中该深度对该宽度之比値系大于2。23.根据申请专利范围第21项之方法,其中该多层矽系包括一第一层非晶质或多晶矽,大约系该壕沟之该深度之三分之一。24.根据申请专利范围第21项之方法,其中该多层矽系包括一第二层非晶质或多晶矽,大约系该壕沟之该深度之三分之一。25.一种半导体装置,包含:一半导体基材;一形成于该基材内之壕沟,该壕沟系由一或多层氧化矽所充填;以及其中该一或多层氧化矽层具有一与热氧化物相等之蚀刻速率。26.根据申请专利范围第25项之半导体装置,其中该壕沟具有一预定之宽度及一预定之深度。27.根据申请专利范围第26项之半导体装置,其中该深度对该宽度之比値系大于2。28.根据申请专利范围第26项之半导体装置,其中该一或多层氧化矽系包括一第一及一第二层矽,包含非晶质或多晶矽。29.根据申请专利范围第28项之半导体装置,其中该第一层矽系大约该壕沟之该深度之三分之一。30.根据申请专利范围第28项之半导体装置,其中该第二层矽系大约该壕沟之该深度之三分之一。图式简单说明:第一图系一先前技艺实例,用以举例说明于壕沟隔绝方面之先前技艺壕沟充填制程所具有之问题。第二图A至第二图F系举例说明根据本发明之方法。第三图系举例说明使用根据本发明之方法形成壕沟隔绝之模拟。 |
