| 发明名称 |
semiconductor element method of fabricating the semiconductor and semiconductor device including the same |
| 摘要 |
본 발명의 반도체 소자는 기판; 상기 기판 위에 형성된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 형성된 대역전압 조절막; 및 상기 게이트 절연막과 상기 대역전압 조절막 사이에 형성된 중간막을 구비하며, 상기 중간막에 발생되는 음의 대역 전압과 상기 기판과 상기 게이트 절연막 사이에 발생되는 양의 대역 전압이 상쇄된다. |
| 申请公布号 |
KR20160120419(A) |
申请公布日期 |
2016.10.18 |
| 申请号 |
KR20150049375 |
申请日期 |
2015.04.08 |
| 申请人 |
SK HYNIX INC.;KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY |
发明人 |
CHO, BYUNG JIN;AHN, HYUN JUN;MOON, JUNG MIN |
| 分类号 |
H01L29/66;H01L21/314;H01L21/316 |
主分类号 |
H01L29/66 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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