| 发明名称 | 金属－氧－碳场致发射体 | ||
| 摘要 | 本发明涉及金属－氧－碳场致发射电子发射体组合物和由它制成的场致发射阴极。还涉及制造金属－氧－碳晶须场致发射体的方法,其中,用有机聚合物涂敷金属衬底(例如,钨线材),并在惰性气氛中对其加热到约1100℃至1550℃,然后保持约15分钟至约2小时。当在有催化剂例如铜镍合金催化剂的情况下进行加热时,可以降低加热温度。本发明的发射体组合物和场致发射阴极可用于真空电子应用和器件(例如,平板显示器)中。 | ||
| 申请公布号 | CN1252164A | 申请公布日期 | 2000.05.03 |
| 申请号 | CN98803997.4 | 申请日期 | 1998.04.01 |
| 申请人 | 纳幕尔杜邦公司 | 发明人 | G·B·布朗谢－芬奇埃尔;J·G·拉文 |
| 分类号 | H01J1/30 | 主分类号 | H01J1/30 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢新华;钟守期 |
| 主权项 | 1.一种包含金属、氧和碳的场致发射电子发射体组合物，其中，金属∶氧∶碳的原子比为a∶b∶c，在a+b+c＝1的条件下，a为约0.1至约0.4，b为约0.1至约0.8，而c为约0.05至约0.8。 | ||
| 地址 | 美国特拉华州 | ||