| 主权项 |
1.一种减少电浆处理室之内表面上沈积组成之方法,其中基板乃经过处理,电浆处理室乃包含天线及使天线与电浆处理室之内部隔离的介电构件,电浆系藉由提供射频电流至天线被产生在此内部,射频电流之部份系利用电压驻波电容性地被联结至此电浆,其方法包括以下步骤:(a)使电压驻波之最大电压振幅位置沿天线偏移;及(b)利用改变离子轰击在介电构件之内表面上的量控制沈积组成,离子轰击控制内表面上之沈积组成,系在电浆处理室中顺序处理基板期间容许均匀之基板处理。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中偏移及控制步骤当于电浆处理室中处理基板时实施。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中电压驻波系利用改变天线之终端阻抗在天线上被偏移。4.根据申请专利范围第3项之方法,其中终端阻抗系利用改变被连接至天线之终端电容器之电容进行控制。5.根据申请专利范围第4项之方法,其中电容乃被维持在一个値,其在内表面之中心区上造成较包围内部区之外部区上少的轰击。6.根据申请专利范围第4项之方法,其中电容乃由第一个电容被提高至第二个电容,第二个电容在内表面之内部区上较内表面之外部区上造成较大的离子轰击,而第一个电容在外部区上较内部区上造成较大的离子轰击。7.根据申请专利范围第4项之方法,其中电容系在个别层之蚀刻期间、氧气清洁循环或其组合期间被改变。8.根据申请专利范围第4项之方法,其中电容系于处理基板期间被维持在第一个値,及在清洁步骤期间被维持在第二个値,然基板仍留在电浆处理室中。9.根据申请专利范围第4项之方法,其中电容于基板之蚀刻期间由第一个値于氧气清洁循环期间被提升至第二个値。10.一种于电浆处理室中处理基板之方法,其具有藉由介电构件与电浆处理室之内部隔离的天线,其包括以下步骤:(a)将处理气体提供入电浆处理室之内部;(b)藉由提供射频能至天线以激发处理气体进入电浆状态;(c)射频能于天线之第一部份处系具有第一个电压振幅,及在天线之第二个部份处具有第二个电压振幅,第一个电压振幅高于第二个电压振幅;(d)藉由使基板之曝露表面与电浆接触,以处理电浆处理室内部之基板,处理时制造之沈积物其在介电构件之内表面第一部份上的乃较内表面第二部份上的更重度地被沈积;(e)偏移天线上第一及第二峰値振幅的位置,以使沈积物更重度地被沈积在内表面之第二部份,而减少内表面第一部份上之沈积物;及(f)使基板由电浆处理室移除。11.根据申请专利范围第10项之方法,其中介电构件乃包含具有面向基板之曝露表面之气体分布构件,气体分布构件乃含有气体分布孔,处理气体系通过流入相邻于基板的反应区,此处理气体乃流动通过气体分布板进入于电浆处理室,并藉由感应性地联结来自天线之射频能通过气体分布板,以被维持在电浆状态下相邻气体分布构件之曝露表面。12.根据申请专利范围第10项之方法,其另外包括利用重覆步骤(a-f)在电浆处理室中处理其它的基板。13.根据申请专利范围第10项之方法,其中于处理步骤期间天线乃含有实质之游丝形线圈,其将处理气体激发至电浆状态下,而处理气体乃包含一或多个含卤素之气体,其于处理步骤期间蚀刻基板。14.根据申请专利范围第10项之方法,其中于处理步骤期间电浆乃含有高密度电浆,及以高密度电浆利用在基板上蚀刻一层处理基板,及将射频偏压提供至基板。15.根据申请专利范围第10项之方法,其中第一及第二峰値振幅之位置,系藉由改变天线上之终端阻抗偏移。16.一种电浆处理室,其包含:用于支撑电浆处理室内部内之基板支架;介电构件,其具有曝露表面面向相邻被支撑在基板支架上基板之反应区;气体补给,其使处理气体提供入反应区;天线,其使射频能提供进入电浆处理室之内部,及将处理气体激发至电浆状态下以处理基板,利用电压驻波使射频能之部份电容性地被联结至此电浆;及利用改变介电构件之内表面上离子轰击量控制沈积组成之装置,此控制表面上沈积组成之离子轰击,于电浆处理室中顺序处理基板之期间系容许均匀之基板处理。17.根据申请专利范围第16项之电浆处理室,其中介电构件乃包含气体分布构件,而用于控制沈积组成之装置乃包含被电连接至天线输出之终端电容器。18.根据申请专利范围第16项之电浆处理室,其中介电构件乃包含介电窗,而天线乃包含相邻此窗之实质游丝形线圈,此线圈系经由该窗提供射频能,以激发处理气体。19.根据申请专利范围第16项之电浆处理室,其中介电构件乃包含气体分布构件,此电浆处理室系含有相邻气体分布构件外表面之介电窗,气体分布构件乃具有多个延伸通过曝露表面之气体出口,及多个在外表面中之气体分布通道,此外表面乃和介电窗接触,而气体分布通道乃将处理气体提供至气体出口。20.根据申请专利范围第19项之电浆处理室,其中介电窗及/或气体分布构件系具有实质之均匀厚度及实质之平面组态。图式简单说明:第一图为根据此发明其中一个范例性具体实施例之真空处理室横截面图,其具有衬垫、聚焦环及气体分布板;第二图乃示出根据此发明其中一个范例性具体实施例之89孔气体分布板顶视图;第三图示出根据此发明其中一个范例性具体实施例之天线,其形状为游丝形线图;第四图a-第四图b为具有改变终端电容之沈积组成图样(以横斜纹表示)表示图;第五图示出用于天线之范例性电路配置,其以第三图中所示之游丝形线圈为形式。第六图示出第五图中所示电路之C4値改变对C1.C2及C3値之影响,其使反射能力达到最小;第七图示出C4値改变对天线电压振幅及底电极射频电压之影响;及第八图示出C4値改变对天线电流振幅及底电极射频电流之影响。 |
