| 主权项 |
1.一种以SRAM取代损坏的DRAM记忆胞之DRAM模组,耦接至一系统滙流排,并以一电源启动信号来启动,包括:一损坏位址纪录器,用以预先储存复数个损坏位址资料,经由该电源启动信号,送出该些损坏位址资料;一内含位址记忆体,耦接至该损坏位址纪录器,用以写入该些损坏位址资料,并接收一DRAM位址资料,将该些损坏位址资料与该DRAM位址资料作比对,送出一特定匹配讯号;一SRAM,耦接至该内含位址记忆体,用以接收该特定匹配讯号,并根据该特定匹配讯号的启动及一DRAM控制信号,来作一资料信号的存取;一DRAM,耦接至该内含位址记忆体,用以接收该特定匹配讯号及该DRAM位址资料,并恨据该特定匹配讯号的关闭、该DRAM位址资料及该DRAM控制信号,来作该资料信号的存取;以及一DRAM控制逻辑电路,耦接至该系统滙流排、该内含位址记忆体、该DRAM及该SRAM,接收该DRAM位址资料、该DRAM控制信号及该资料信号,用以作该资料信号在该SRAM上的存取与该资料信号在该DRAM上的存取与将该资料信号作该内含位址记忆体的写入,三者择一。2.如申请专利范围第1项所述之DRAM模组,其中该损坏位址纪录器系一快闪记忆体。3.如申请专利范围第1项所述之DRAM模组,其中该损坏位址纪录器系一电性可抹除可程式唯读记忆体。4.如申请专利范围第1项所述之DRAM模组,其中该损坏位址纪录器系一电性可程式唯读记忆体。5.如申请专利范围第1项所述之DRAM模组,其中该损坏位址纪录器系一可程式逻辑阵列。6.如申请专利范围第1项所述之DRAM模组,其中该损坏位址纪录器系一可程式之熔丝。7.如申请专利范围第1项所述之DRAM模组,其中该内含位址记忆体中之该些损坏位址资料,系包括以一软体载入的方式来将该些损坏位址资料写入该内含位址记忆体。8.如申请专利范围第1项所述之DRAM模组,当该DRAM位址资料与该些损坏位址资料其中之一相同,则该特定匹配讯号会启动,亦即致能该SRAM一特定位置,并且禁能该DRAM之一输出致能讯号。9.如申请专利范围第1项所述之DRAM模组,当该DRAM位址资料和该些损坏位址资料作比对结果为不相同,则该特定匹配讯号会关闭,亦即该SRAM未被致能,并且该DRAM正常动作。10.如申请专利范围第1项所述之DRAM 模组,该些损坏位址资料提供一配类位元,用以决定该损坏位址资料为有效资料与无效资料二者择一。11.如申请专利范围第10项所述之DRAM 模组,当该损坏位址资料为无效资料时,该配类位元会将该特定匹配讯号关闭。12.一种以SRAM取代损坏的DRAM记忆胞之方法,将复数个损坏位址资料和一DRAM位址资料作比对并送出一特定匹配资料致能一SRAM之一特定位置并且禁能一DRAM之一输出致能讯号。13.如申请专利范围第12项所述之方法,当该些损坏位址资料和该DRAM位址资料作比对结果为不相同,则关闭该特定匹配讯号,亦即该SRAM未被致能,并且DRAM正常动作。14.一种以SRAM取代损坏的DRAM记忆胞之装置,耦接至一SRAM、一DRAM以及一系统滙流排,并以一电源启动信号来启动,包括:一损坏位址纪录器,用以预先储存复数个损坏位址资料,经由该电源启动信号,送出该些损坏位址资料;一内含位址记忆体,耦接至该损坏位址纪录器、该DRAM及该SRAM,用以写入该些损坏位址资料,并接收一DRAM位址资料,将该些损坏位址资料与该DRAM位址资料作比对,送出一特定匹配讯号;以及一DRAM控制逻辑电路,耦接至该系统滙流排、该内含位址记忆体、该DRAM及该SRAM,接收该DRAM位址资料、该DRAM控制信号及该资料信号,用以作该资料信号在该SRAM上的存取与该资料信号在该DRAM上的存取与将该资料信号作该内含位址记忆体的写入,三者择一。15.如申请专利范围第14项所述之装置,其中该损坏位址纪录器系一快闪记忆体。16.如申请专利范围第14项所述之装置,其中该损坏位址纪录器系一电性可抹除可程式唯读记忆体。17.如申请专利范围第14项所述之装置,其中该损坏位址纪录器系一电性可程式唯读记忆体。18.如申请专利范围第14项所述之装置,其中该损坏位址纪录器系一可程式逻辑阵列。19.如申请专利范围第14项所述之装置,其中该损坏位址纪录器系一可程式之熔丝。20.如申请专利范围第14项所述之装置,其中该内含位址记忆体中之该些损坏位址资料,系包括以一软体载入的方式来将该些损坏位址资料写入该内含位址记忆体。21.如申请专利范围第14项所述之装置,当该DRAM位址资料与该些损坏位址资料其中之一相同,则该特定匹配讯号会启动,亦即致能该SRAM一特定位置,并且禁能该DRAM之一输出致能讯号。22.如申请专利范围第14项所述之装置,当该DRAM位址资料和该些损坏位址资料作比对结果为不相同,则该特定匹配讯号会关闭,亦即该SRAM未被致能,并且该DRAM正常动作。23.如申请专利范围第14项所述之装置,该些损坏位址资料提供一配类位元,用以决定该损坏位址资料为有效资料与无效资料二者择一。24.如申请专利范围第23项所述之装置,当该损坏位址资料为无效资料时,该配类位元会将该特定匹配讯号关闭。图式简单说明:第一图其绘示为习知DRAM模组。第二图其绘示为内含位址记忆体与SRAM的连接图。第三图其绘示为本发明一种以SRA M取代损坏的DRAM记忆胞之DRAM模组方块图。 |
