| 主权项 |
1.一种静态随机存取记忆体的制作方法,包括下列步骤:(i)首先,定义主动区,形成p井区及n井区,同时利用植入的步骤调整NMOS及PMOS的临界电压値,并且成长闸极氧化层,沉积未掺杂多晶矽,并定义出用以使上拉电晶体与下拉电晶体连接的掩埋接触窗的位置;(ii)接着沉积闸极材料,并且定义出闸极的位置,同时定义出上拉电晶体的汲极与下拉电晶体的源极的连接线;(iii)然后进行n型淡汲极掺杂及p型淡汲极掺杂,接着形成间隔层,利用光罩微影技术与植入技术,分别进行n+掺杂及p+掺杂,以分别形成NMOS与PMOS的源极/汲极与闸极的区域及掩埋接触窗的植入,然后形成闸极与源极/汲极,接着沉积一介电层作为隔离层,再形成接触孔;(iv)形成一金属层、并且加以定义,以得到电源线、作为上拉电晶体与下拉电晶体闸极的多晶矽与上拉电晶体的汲极及下拉电晶体的源极的连接线、下拉电晶体的汲极之接地线、字元线的连接线及插塞;(v)接着再次形成一介电层层作为隔离层,并形成接触孔;及(vi)然后再形成一金属层,并定义出位元线。2.如申请专利范围第1项的制作方法,其中,上述步骤(i)中之闸极氧化层厚约40-150埃。3.如申请专利范围第1项的制作方法,其中,上述步骤(ii)中之闸极材料为未掺杂多晶矽或非晶矽。4.如申请专利范围第1项的制作方法,其中,上述步骤(i)中之N型淡汲极掺杂系以能量5Kev-60KeV,浓度1E13-3E14/cm2,植入磷或砷。5.如申请专利范围第1项的制作方法,其中,上述步骤(i)中之上述P型淡汲极掺杂系以能量2KeV-60KeV,浓度1E13-3E14/cm2,植入硼或氟化硼。6.如申请专利范围第1项的制作方法,其中,上述步骤(iii)中之闸极与源极/汲极可钛或钴的金属矽化物。7.如申请专利范围第1项的制作方法,在上述步骤(iii)中,上述N+掺杂系以能量10KeV-60KeV,浓度2E15-6E15/cm2,植入砷。8.如申请专利范围第1项的制作方法,在上述步骤(iii)中,上述P+掺杂则系以能量2KeV-60KeV,浓度2E15-6E15/cm2,植入硼或氟化硼。9.如申请专利范围第1项的制作方法,其中,上述形成介电层作为隔离层的步骤系沉积硼磷四氧乙基矽,其包括1-2K埃的电浆促进四氧乙基矽及3-12K埃的硼磷四氧乙基矽,再以750-900℃填入硼磷四氧乙基矽。10.如申请专利范围第1项的制作方法,其中,上述形成闸极与源极/汲极的方式系利用两个快速昇温退火步骤形成。图式简单说明:第一图系绘示习知技艺中由CMOS电晶体构成的SRAM之电路图。第二图a至第二图f系绘示用以说明本发明之静态随机存取记忆体的制作方法之布局图。 |
