金属化基材之制法

摘要

为了制备制造电路载体所需之基材，已知方法为藉辉光放电法将金属层涂敷至介电基质上，接着藉电镀法涂敷额外金属层。然而这些方法并不适于制备在GHz范围中之高频应用所适合之基材。本发明系自前述方法开始，并经由使用氟聚合物及藉辉光放电法使用镍涂覆这些材料，经由此种方法可以坚固地涂覆该基材之非常平滑表面。可以自无电或电解沉积浴，使该喷镀金属经额外金属层涂覆。

主权项

1.一种制造喷镀金属基材之方法,该喷镀金属基材适于制造可以使用在GHz范围中之电路载体,其中该具有氟聚合物表面之基材经金属层牢固地涂覆,其步骤包括:a.使用辉光放电法,经由挥发性镍化合物之分解使含镍之第一金属层沉积在该氟聚合物表面上,并b.自金属喷镀浴,使第二金属层沉积在该第一金属层上。2.根据申请专利范围第1项之方法,其特征在于该第一金属层接着经以下方步骤处理:a1.在含氧之气氛中,经由辉光放电法处理该金属层,a2.在含氢之气氛中,经由辉光放电法处理该金属层。3.根据上述申请专利范围其中一项之方法,其特征在于该第二金属层系经由无电法沉积。4.根据申请专利范围第3项之方法,其特征在于沉积镍层或含镍与硼或磷之合金属层作为该第二金属层。5.根据申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于使用有机镍化合物作为该挥发性镍化合物。6.根据申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于该第一金属层形成前,在蚀刻气体存在下,以辉光放电法预先处理该氟聚合物表面,以此种方式处理之表面很平滑。7.根据申请专利范围第6项之方法,其特征在于使用该辉光放电法进行前处理后,该氟聚合物表面之平均峰谷高度Ra最多100毫微米,较佳最多20微米,平均在1微米2以上。8.根据申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于在该蚀刻气体对该表面作用时,将其调整至至少20巴(较佳至少50巴)之压力。9.根据申请专利范围第1或2项之方法,其特征在于该氟聚合物表面系在作为该蚀刻气体之氧/四氟甲烷气体混合物存在下进行前处理。10一种根据申请专利范围第1或2项之方法,在该氟聚合物表面上形成导体结构之应用,其包括以适合之蚀刻阻剂建构所获得之金属层,并接着蚀刻除去未形成该导体结构之金属层区域,或以适合光阻剂建构该氟聚合物表面,并接着使金属层沈积在形成该导体结构之氟聚合物表面之区域中。11一种.根据申请专利范围第1或2项之方法,在该氟聚合物表面上形成进行等离子体蚀刻所需之罩护剂之应用,其包括以适合之蚀刻阻剂建构所获得之金属表面,并接着蚀刻除去未形成该罩护剂之金属层区域,或以适合之光阻剂建构该氟聚合物表面,并接着使金属层沉积在形成该罩护剂之氟聚合物表面区域中。