| 主权项 |
1.一种半导体电浆处理装置,属于藉由电浆处理被处理体的半导体电浆处理装置,其特征为:在内部处理上述被处理体所用之被排气的反应室,及在上述反应室内部,复数直线状导体所构成的天线,及连接于上述复数直线状导体之一端的RF高频电源所构成者。2.如申请专利范围第1项所述之半导体电浆处理装置,其中,上述天线系互相等间隔地从天线之中心放射状地配置的至少三支直线状导体所构成,各该直线状导体系一端被接地而另一端连接于上述RF高频电源者。3.如申请专利范围第l项所述之半导体电浆处理装置,其中,上述天线系从天线之中心等距地配置之长度相等的至少三条之直线状导体所构成者。4.如申请专利范围第2项或第3项所述之半导体电浆处理装置,其中,上述复数直线状导体系互相并联地连接者。5.如申请专利范围第2项或第3项所述之半导体电浆处理装置,其中,上述复数直线状导体系互相串联地连接者。6.如申请专利范围第4项所述之半导体电浆处理装置,其中,上述天线系具有互相地平行之双层构造者。7.如申请专利范围第5项所述之半导体电浆处理装置,其中,上述天线系具有互相地平行之双层构造者。8.如申请专利范围第1项至第3项中任何一项所述之半导体电浆处理装置,其中,上述天线之上述直线状导体之表面系施以绝缘处理者。9.如申请专利范围第8项所述之半导体电浆处理装置,其中,上述天线系具有用以流通冷却水之中空的管状构造者。10.如申请专利范围第1项至第3项中任何一项所述之半导体电浆处理装置,其中,又由在与感应磁场直交之方向发生磁场所用的磁场发生手段所构成者。图式简单说明:第一图系表示之本发明之电浆处理装置的概略图。第二图系表示本发明之较佳实施例之天线的平面图。第三图系表示本发明之天线之其他实施例者。第四图(A)、第四图(B)系表示使用以往之天线时的电浆安定性。第四图(C)系表示使用本发明之较佳实施例之天线时的电浆之安定性的图表。第五图系表示本发明之较佳实施例的天线之电浆密度与RF电力之关系的图表。第六图系表示本发明之较佳实施例的天线之生成的电浆之空间剖面者。 |
