| 主权项 |
1.一种闸氧化层之制造方法,该方法包括;提供一基底;在该基底上形成一垫氧化层;在该垫氧化层上形成一罩幕层;定义、蚀刻该罩幕层、该垫氧化层以及该基底,以使该罩幕层、该电氧化层图案化并在该基底中形成一沟渠;除去部分该罩幕层以将该沟渠顶角周围部分之该垫氧化层暴露出来;在该基底上方形成一绝缘层,该绝缘层填满该沟渠并且覆盖该沟渠顶角周围部分及该罩幕层之表面;除去部分该绝缘层,暴露出该罩幕层表面;移除该罩幕层;以该绝缘层当作自对准植入罩幕,对该基底植入一掺质,以减缓其氧化速率;移除垫氧化层及部分该绝缘层,暴露出该基底表面及该沟渠顶角周围部分;以及以热氧化法在该基底中形成一闸氧化层,该闸氧化层在该沟渠顶角周围部分的厚度,较厚于其他部分。2.如申请专利范围第1项所述之闸氧化层之制造方法,其中以该绝缘层当作自对准植入罩幕,对该基底植入掺质之方法,包括离子植入法。3.如申请专利范围第2项所述之闸氧化层之制造方法,其中该植入之掺质,包括氮离子。4.如申请专利范围第2项所述之闸氧化层之制造方法,其中该离子植入之能量为5至10仟电子伏特。5.如申请专利范围第2项所述之闸氧化层之制造方法,其中该离子植入之剂量约51014/平方公分至11015/平方公分。6.如申请专利范围第1项所述之闸氧化层之制造方法,其中除去部分该绝缘层,暴露出该罩幕层表面之步骤,系以该罩幕层为一研磨终止层,利用化学机械研磨法平坦化。7.如申请专利范围第1项所述之闸氧化层之制造方法,其中除去部分该罩幕层,以使该沟渠顶部周围部分之该垫氧化层暴露出来的方法,包括等向性蚀刻法。8.如申请专利范围第1项所述之闸氧化层之制造方法,其中除去部分该罩幕层,以使该沟渠顶部周围部分之该垫氧化层暴露出来的方法,包括湿式蚀刻法。9.如申请专利范围第1项所述之闸氧化层之制造方法,其中该罩幕层包括以化学气相沈积法形成之氮化矽。10.如申请专利范围第9项所述之闸氧化层之制造方法,其中除去部分该罩幕层以将该沟渠顶部周围部分之该垫氧化层暴露出来的方法,包括使用热磷酸溶液。11.如申请专利范围第1项所述之闸氧化层之制造方法,其中形成该绝缘层之方法包括化学气相沈积法。12.如申请专利范围第11项所述之闸氧化层之制造方法,其中以化学气相沈积法形成该绝缘层之方法包括以四-乙基-邻-矽酸酯/臭氧为反应气体来源。13.一种闸氧化层之制造方法,包括;提供一基底,该基底上具有一沟渠且该基底上有一罩幕层部分覆盖该沟渠所围之一主动区,使该沟渠顶部周围之区域裸露出来;在该基底上形成一浅沟渠隔离绝缘层,至少填满该沟渠及该沟渠顶部周围之区域;移除该罩幕层,暴露部份该基底表面;对该暴露之该部分基底表面植入一掺质,使其氧化速率较未暴露出之该基底表面慢;移除部分该浅沟渠隔离绝缘层,暴露该沟渠顶部周围之区域;以及进行一氧化制程在该基底中形成一闸氧化层,该闸氧化层在该浅沟渠隔离顶部周围之区域的厚度,较厚于其他部分。14.如申请专利范围第13项所述之闸氧化层之制造方法,其中以该暴露部份该基底表面植入掺质之方法,包括离子植入法。15.如申请专利范围第14项所述之闸氧化层之制造方法,其中该植入之掺质,包括氮离子。16.如申请专利范围第15项所述之闸氧化层之制造方法,其中该离子植入之能量为5至10仟电子伏特。17.如申请专利范围第15项所述之闸氧化层之制造方法,其中该离子植入之剂量约51014/平方公分至11015/平方公分。18.如申请专利范围第13项所述之闸氧化层之制造方法,其中形成该浅沟渠隔离绝缘层之方法包括化学气相沈积法。19.如申请专利范围第13项所述之闸氧化层之制造方法,其中以化学气相沈积法形成该浅沟渠隔离绝缘层之方法包括以四-乙基-邻-矽酸酯/臭氧为反应气体来源。20.如申请专利范围第13项所述之闸氧化层之制造方法,其中形成该闸氧化层之方法包括热氧化法。图式简单说明:第1A图至第1G图为根据本发明较佳实施例之闸氧化层制造流程剖面图。 |
