| 主权项 |
1.一种检测光用之构造,其包含:一光感测器;一第一彩色滤光层沉积于光感测器上;及一保护聚合物矽化层沉积于第一彩色滤光层上。2.如申请专利范围第1项之构造,其进一步包含:一胶带施用于聚合物矽化层表面用于研磨/金制程期间保护第一彩色滤光层。3.如申请专利范围第1项之构造,其进一步包含:一第二彩色滤光层,该第二彩色滤光层可遮断与第一彩色滤光层遮断之光不同色光,第二彩色滤光层毗邻包围第一彩色滤光层之保护聚合物矽化层。4.如申请专利范围第1项之构造,其中该保护聚合物矽化层系由六甲基二矽胺烷气体形成。5.一种制造光检测构造之方法,其包含:制造一第一彩色滤光层于基材上之第一光电二极体上方而形成一滤光层-光电二极体组合;将包含滤光层-光电二极体组合之基材置于腔室内及使滤光层-光电二极体组合暴露于气相矽烷化合物而形成矽烷涂层于滤光层-光电二极体组合上;及由腔室中移出滤光层-光电二极体组合。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该气相矽烷化合物为呈气相之六甲基二矽胺烷。7.如申请专利范围第5项之方法,其进一步包含下列步骤:施用胶带于矽烷涂层上;研磨光检测构造表面;及由矽烷涂层去除胶带。8.如申请专利范围第5项之方法,其进一步包含下列步骤:制造一第二彩色滤光层于基材上之一第二光电二极体上方,该第二彩色滤光层设计成可吸收与第一彩色滤光层不同波长之光;第二彩色滤光层暴露于气相之矽烷化合物。9.如申请专利范围第5项之方法,其进一步包含下列步骤:第一彩色滤光层暴露于显影剂溶液而于滤光层-光电二极体组合暴露于矽烷化合物前去除过量物质。10.一种产生数位影像之构造,其包含:一基材:复数光电检测器形成于基材上;复数彩色滤光层,复数光电检测器中之各检测器具有输入由复数彩色滤光层中之一滤光层遮盖,复数彩色滤光层中之第一滤光层设计成可遮断第一频率光,及复数彩色滤光层中之第二滤光层设计成可遮断第二频率光;支载电子电路元件,其经由组合源自复数光电检测器中之至少二光电检测器资料可产生一彩色数位影像;及一矽烷保护层环绕复数光电检测器。11.如申请专利范围第10项之构造,其中该被支载之电子电路元件系藉由内插至复数光电检测器间之一点而组合资料。12.如申请专利范围第10项之构造,其中该矽烷层厚度为1至15埃。13.如申请专利范围第10项之构造,其中该矽烷层系由六甲基二矽胺烷蒸气制成。14.如申请专利范围第10项之构造,其中该矽烷层遮盖个别滤光层,而矽烷层系夹置于毗邻滤光层间。15.一种用于检测光之构造,其包含:一感测装置用于感测光;一滤光装置用于滤光由感测光装置所接收之光色彩;一保护装置用于保护过滤光色彩之装置,该保护装置包括矽化材料。16.如申请专利范围第15项之构造,其进一步包含:一黏胶带贴于保护滤光装置之装置上。17.如申请专利范围第15项之构造,其中该保护装置为聚合物矽化层。图式简单说明:图1A-1E示例说明彩色滤光层阵列构造于制造过程之各个阶设之剖面图。图2A-2E示例说明彩色滤光层阵列构造于替代制法之各阶段之剖面图。示例说明之所得构造使用矽化层可保护表面于去除胶带过程不受损。图3示例说明使用彩色滤光层之装置之剖面图。图4A及4B示例说明用于制造彩色滤光层及彩色滤光层周围保护层之各步骤之流程图。 |
