| 主权项 |
1.一种去除无机底层抗反射层之方法,包括下列步骤:提供一基板,在上述基板上依序形成复合终止层、第一介电层及底层抗反射层;依序蚀刻上述底层抗反射层、第一介电层以形成沟槽而露出上述复合终止层表面;以及去除上述底层抗反射层及复合终止层以露出上述第一介电层及基板表面,其中在去除过程中露出上述基板表面之前已先露出上述第一介电层表面。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述复合终止层系一第一终止层及第二介电层与之双层结构。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述复合终止层系一第一终止层、第二介电层及第二终止层之三层结构。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在去除上述底层抗反射层及复合终止层之后,更包括清理上述沟槽底部之蚀刻残留物的步骤。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述第一介电层系FSG与BD之至少一种。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述底层抗反射层系氮氧化矽。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中去除上述复合终止层及底层抗反射层系利用一乾蚀刻制程。8.如申请专利范围第2项所述之方法,其中上述第一终止层系氮化矽。9.如申请专利范围第2项所述之方法,其中上述第二介电层系FSG与BD之至少一种。10.如申请专利范围第3项所述之方法,其中上述第一及第二终止层系氮化矽。11.如申请专利范围第3项所述之方法,其中上述第二介电层系FSG与BD之至少一种。12.如申请专利范围第4项所述之方法,其中清理上述沟槽底部之蚀刻残留物系利用一乾蚀刻制程。13.一种去除无机底层抗反射层之方法,适用于双镶嵌制程中,包括下列步骤:提供一基板,在上述基板上依序形成复合终止层、复合介电层及底层抗反射层;依序蚀刻上述底层抗反射层、复合介电层以形成阶梯状轮廓之沟槽而露出上述复合终止层表面;以及去除上述底层抗反射层及复合终止层以露出上述复合介电层及基板表面,其中在去除过程中露出上述基板表面之前已先露出上述复合介电层表面。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中上述复合介电层系一第一介电层、第一终止层及第二介电层之三层结构。15.如申请专利范围第13项所述之方法,其中上述复合终止层系一第二终止层及第三介电层之双层结构。16.如申请专利范围第13项所述之方法,其中上述复合终止层系一第二终止层、第三介电层及第三终止层之三层结构。17.如申请专利范围第13项所述之方法,其中在去除上述底层抗反射层及复合终止层之后,更包括清理上述沟槽底部之蚀刻残留物的步骤。18.如申请专利范围第13项所述之方法,其中上述底层抗反射层系氮氧化矽。19.如申请专利范围第13项所述之方法,其中去除上述复合终止层及底层抗反射层系利用一乾蚀刻制程。20.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述第一及第二介电层系FSG与BD之至少一种。21.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述第一终止层系氮化矽。22.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述第二终止层系氮化矽。23.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述第三介电层系FSG与BD之至少一种。24.如申请专利范围第16项所述之方法,其中上述第二及第三终止层系氮化矽。25.如申请专利范围第16项所述之方法,其中上述第三介电层系FSG与BD之至少一种。26.如申请专利范围第17项所述之方法,其中清理上述沟槽底部之蚀刻残留物系利用一乾蚀刻制程。图式简单说明:第1A至1C图系绘示出习知技术之去除底层抗反射层之剖面图;第2A至2D图系绘示出根据本发明第一实施例之去除底层抗反射层之方法剖面图;第3A至3D图系绘示出根据本发明第二实施例之去除底层抗反射层之方法剖面图;第4A至4D图系绘示出根据本发明第三实施例之去除底层抗反射层之方法剖面图;第5A至5D图系绘示出根据本发明第四实施例之去除底层抗反射层之方法剖面图。 |
