选择性供给复数记忆区块所要之资料写入电流之薄膜磁性体记忆装置

摘要

在第一段~第N段之分割成N个之各记忆区块(MB)配置复数第一及第二驱动器单元(ND、PT、NT)，各自和各记忆区块所含之复数数位线(DL)之一端及另一端对应的设置。选择记忆区块以前之各第一驱动器单元(ND、PT)按照前段之记忆区块之同一列之数位线之之电压位准连接对应之数位线和第一电压(VCC)。又，选择记忆区块之第二驱动器单元(NT)连接对应之数位线和第二电压(GND)后，供给资料写入电流。即，将选择记忆区块以前之数位线用作信号线而不是电流线，缩小电路带之面积。