半导体制造方法及半导体制造装置

摘要

本发明旨在提供一种半导体制造装置，在构造上藉着用气体供给装置供给收容在既定之半导体制程进行蚀刻、灰化清除处理后所制造之半导体晶圆之反应管，再用加热器将反应管加热，在既定之氨气环境中进行半导体晶圆加热处理，令因该蚀刻、灰化清除处理等而上升恶化之半导体装置内之层间绝缘膜之比介质常数k值有效的降低复原。